nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求,除通路顆粒合約價下滑9~10%外,智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期,也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示,除價格下滑幅度加劇外,現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸,三星(Sam
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2015年第四季NAND廠商營收排行
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求,除通路顆粒合約價下滑9~10%外,智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期,也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示,除價格下滑幅度加劇外,現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸,三星(Sam
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運用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點的挑戰(zhàn)
- 今年,半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù),從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求,促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微,推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下,對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備,對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外,隨著越來越多支持圖案
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國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外,主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位,也將成為下一波中國半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點。 TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,在營運上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外,多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切,或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
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慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會
- 在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會,在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案。 慧榮科技展臺將展出如下產(chǎn)品: Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預(yù)計下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是,預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場,DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計在2015年下降11.6%,并在2016年進一步下降6.7%。 DRAM市場2016年供過于求 近期,我們對于DRAM市場的預(yù)測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑,而在
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Toshiba準(zhǔn)備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- 根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢斀?jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導(dǎo),大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù),僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。 未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營,該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商,這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。 將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類
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手機標(biāo)稱16G內(nèi)存,為何實際卻少于16G
- 摘要:現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下: 我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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韓廠進入14納米平面NAND時代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)
- 韓國兩大存儲器廠前進14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn),而SK海力士(SK Hynix)則預(yù)定在新的一年結(jié)束研發(fā)作業(yè),并導(dǎo)入量產(chǎn)體制。 韓媒ET News報導(dǎo),三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成,將于2016年上半投產(chǎn)。三星預(yù)定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上,公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士,也進入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉,SK海力士計劃將
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中國下個購并標(biāo)的:NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認(rèn)為,中資集團下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過購并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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美光科技業(yè)務(wù)狀況有望在2016年好轉(zhuǎn)
- 個人電腦(PC)需求放緩嚴(yán)重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過60%的收入來自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過去一年里,美光科技股價跌去了60%。利潤和收入大幅下滑。利潤率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財季業(yè)績料將凸顯出艱難的經(jīng)營環(huán)境。 不過從歷史角度看,美光科技股價一直波動較大,周期性驅(qū)動的電腦芯片業(yè)務(wù)推動其股價起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱,過去一年里,美光科技的客戶一直在消化內(nèi)存庫存,預(yù)計這一
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東芝擬分拆NAND存儲器事業(yè)部 其他部門或裁員
- 昨(18)日消息,被東芝(Toshiba)視為營運重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來,并考慮讓其上市、籌措研發(fā)所需的巨額資金;另外,大分、巖手兩縣的工廠將藉由替其他廠商代工、來強化收益能力。 報導(dǎo)指出,東芝將在12 月21日公布以電視、PC 以及家電等事業(yè)為中心的合理化措施,可能將裁撤數(shù)千名員工,而半導(dǎo)體事業(yè)和核能、醫(yī)療用機器部門皆被東芝定位為核心事業(yè),故東芝正急
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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