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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
一種矢量信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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- 摘要:充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號(hào)的特點(diǎn),以FPGA為邏輯時(shí)序控制器,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡(jiǎn)單、低成本的矢量信號(hào)發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例,詳細(xì)介紹了矢量信號(hào)發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過(guò)程,使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
- 關(guān)鍵字: DDR2 SDRAM FLASH 201205
基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

- 基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備雖然具有價(jià)格低廉的優(yōu)勢(shì),但是在高溫、高速、高沖擊的測(cè)試環(huán)境中,往往存在設(shè)備存放空間有限、測(cè)試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復(fù)雜等因素。為了得到準(zhǔn)確的測(cè)試數(shù)據(jù),對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的性能也提出 - 關(guān)鍵字: 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ) 數(shù)據(jù) NAND Flash 基于
今年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%
- 據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場(chǎng)研究報(bào)告,雖然2011年情況不如人意,但今年NAND閃存市場(chǎng)可望有不錯(cuò)的表現(xiàn),裝備固態(tài)硬盤的超級(jí)本(Ultrabook)等產(chǎn)品將助其一臂之力。 今年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%,從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營(yíng)業(yè)收入預(yù)期,全球出貨量相當(dāng)于28823個(gè)1GB器件,而2011年是17401個(gè)。隨著智能手機(jī)、平板電腦和超級(jí)本固態(tài)硬盤(SSD)這三大市場(chǎng)使用的NAND閃存逐年增長(zhǎng),未來(lái)幾年NAND營(yíng)業(yè)收入將持續(xù)攀升,到2016年
- 關(guān)鍵字: NAND 固態(tài)硬盤
主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)
- 閃存幾乎無(wú)處不在,特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸,隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不...
- 關(guān)鍵字: 閃存 NAND NOR 非易失性存儲(chǔ)器
FLASH在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器,具有ROM存儲(chǔ)器的特點(diǎn),存儲(chǔ)在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持1 ...
- 關(guān)鍵字: K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH
NAND閃存將呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)
- 隨著智能手機(jī)、平板電腦、超極本等移動(dòng)互聯(lián)設(shè)備市場(chǎng)的井噴,存儲(chǔ)器Nand Flash也呈現(xiàn)“水漲船高”之勢(shì),Gartner預(yù)估今年Nand閃存市場(chǎng)將增長(zhǎng)18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”上,福州瑞芯微電子有限公司總裁陳鋒直言“后PC時(shí)代已經(jīng)到來(lái)”,今年平板電腦的出貨量預(yù)計(jì)在1.5億臺(tái)左右,智能手機(jī)將突破6億部,加起來(lái)為7.5億部,將遠(yuǎn)超今年P(guān)C出貨量,帶動(dòng)對(duì)顯示屏、主控芯片和存儲(chǔ)器關(guān)鍵部件的需求,
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存
VxWorks文件系統(tǒng)和Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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- VxWorks文件系統(tǒng)和Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),0 引言
在VxWorks的應(yīng)用系統(tǒng)中,基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。
一般情況下,磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng),磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū),扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的 - 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) TFFS Flash 文件 系統(tǒng) VxWorks
基于DSP的外部Flash存儲(chǔ)器在線編程的軟硬件設(shè)計(jì)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: DSP Flash 存儲(chǔ)器 在線編程 軟硬件設(shè)計(jì)
Spansion與SK海力士宣布NAND戰(zhàn)略合作
- Spansion公司與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟,并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?;陔p方合作開發(fā)的首款Spansion? SLC NAND產(chǎn)品將于2012年第二季度面世。作為合作的一部分,雙方將同時(shí)簽訂專利交互授權(quán)協(xié)議。 Spansion的NAND產(chǎn)品主要針對(duì)諸如汽車電子、工業(yè)電子以及通信等嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域,以補(bǔ)充NOR產(chǎn)品供應(yīng),并提供完整產(chǎn)品解決方案。Spansion公司的高性能、高可靠性SLC NAND產(chǎn)品系列將提供廣受業(yè)界認(rèn)同的客
- 關(guān)鍵字: SK海力士 NAND
SK海力士與飛索半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- SK海力士于本周二宣布,公司與美國(guó)飛索半導(dǎo)體(SpansionInc.)簽署了可以相互使用對(duì)方專利的特許以及SLCNAND閃存產(chǎn)品的供應(yīng)協(xié)議。 SK海力士解釋說(shuō),此次簽署的協(xié)議包括雙方在使用對(duì)方的專利時(shí)不需要另外交付專利費(fèi)。 最近全球的專利糾紛急劇增加,兩家公司在這樣的情況下能夠通過(guò)該協(xié)議,就更能減少糾紛的發(fā)生可能,并且縮小了經(jīng)營(yíng)上的不確定性。 此外,SK海力士還可以借助該協(xié)議掌握穩(wěn)定供應(yīng)嵌入式SLCNAND閃存產(chǎn)品的供應(yīng)商。嵌入式SLCNAND閃存是使用于IT設(shè)備內(nèi)部?jī)?chǔ)存的高增值產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: SK海力士 NAND
“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”側(cè)記
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- 2012年,隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā),有一種半導(dǎo)體器件會(huì)受到產(chǎn)業(yè)的萬(wàn)眾矚目----這就是Nand Flash,Gartner預(yù)估今年NAND Flash市場(chǎng)增長(zhǎng)18%! 年初以來(lái),NAND Flash大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計(jì)劃,各大廠工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm,三星西安建廠發(fā)力10nm Nand Flash!可以說(shuō),一場(chǎng)圍繞Nand Flash應(yīng)用的存儲(chǔ)大變革正在進(jìn)行,Nand Flash應(yīng)用變革給本土業(yè)者帶來(lái)哪些機(jī)遇?智能手機(jī)、平板電腦供應(yīng)商如何看待
- 關(guān)鍵字: BIWIN Nand Flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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