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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD
- 鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線(xiàn)，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。 這款SSD具體型號(hào)RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計(jì)，包含128和256GB兩種型號(hào)，讀取速度高達(dá)355MB/s,寫(xiě)入速度達(dá)215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計(jì)將面向北美、英國(guó)和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價(jià)大約450美元。
- 關(guān)鍵字： 鎂光 34納米 NAND SSD
東芝32nm制程N(yùn)AND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市
- 日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷(xiāo)量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計(jì)的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠(chǎng)商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過(guò)目前東芝所售出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠(chǎng)商乃至終端客戶(hù)便無(wú)法享受到32nm制程技術(shù)帶來(lái)低成本實(shí)惠。 不過(guò)東芝近日宣布，他們將開(kāi)始測(cè)試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品，并將于本季度推出
- 關(guān)鍵字： 東芝 32nm NAND 閃存制造
一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫(kù)存
- 據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過(guò)2009年對(duì)膨脹的庫(kù)存大幅削減 ，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫(kù)存，以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。 半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫(kù)存天數(shù)(DOI)預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫(kù)存預(yù)計(jì)比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫(kù)存會(huì)維持在可滿(mǎn)足要求的平衡水平上，庫(kù)存將達(dá)到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會(huì)接近短缺的邊緣。 圖示為iSuppli
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
車(chē)載MP3中Flash文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
- 引言 目前車(chē)載播放器基本上采用的是CD播放器、MD播放器以及磁帶播放器等。由于這類(lèi)播放器內(nèi)部具有一些機(jī)械式傳動(dòng)部件,再加上裝在汽車(chē)這個(gè)特定的環(huán)境中,經(jīng)常會(huì)由于機(jī)械傳動(dòng)或者光頭、磁頭受震動(dòng)發(fā)生跳音或絞帶現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： Flash MP3 車(chē)載 文件系統(tǒng)
iSuppli：全球芯片庫(kù)存保持緊縮 NAND閃存或短缺
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫(kù)存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利。 第一季度末庫(kù)存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫(kù)存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%，第一季度預(yù)計(jì)將較普通水平少6.9%。 iSuppli預(yù)測(cè)，由于庫(kù)存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。 2010年，預(yù)計(jì)庫(kù)存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫(kù)存管理將幫助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數(shù)增長(zhǎng)，增長(zhǎng)幅度預(yù)計(jì)為15.4%，而2009年減少12.4%
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威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)
- 存儲(chǔ)器模塊大廠(chǎng)威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jī)單，董事長(zhǎng)陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對(duì)于模塊產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是好事，往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會(huì)見(jiàn)到淡季不淡，也不見(jiàn)五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格則預(yù)計(jì)會(huì)起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會(huì)優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。 威剛2009年進(jìn)行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器部門(mén)資深營(yíng)銷(xiāo)副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 威剛 存儲(chǔ)器 NAND
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠(chǎng)操縱價(jià)格
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國(guó)快閃記
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND DRAM
韓國(guó)FTC：NAND Flash大廠(chǎng)無(wú)操控價(jià)格
- 據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)器大廠(chǎng)有任何操控價(jià)格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國(guó)FTC表示，至目前為止所有和存儲(chǔ)器市場(chǎng)相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場(chǎng)。 韓國(guó)FTC自2007年1月開(kāi)始調(diào)查存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價(jià)格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲(chǔ)器大廠(chǎng)，包括兩家韓國(guó)廠(chǎng)商、1家日本及1家美國(guó)廠(chǎng)商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠(chǎng)商名稱(chēng)。 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)近年來(lái)遭數(shù)個(gè)國(guó)家調(diào)查是否存在柯斷，近期
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM 存儲(chǔ)器芯片 NAND
韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)閃存廠(chǎng)商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。 該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠(chǎng)商中，兩家位于韓國(guó)，其他位于美國(guó)和日本。不過(guò)公平交易委員會(huì)沒(méi)有點(diǎn)出這些廠(chǎng)商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備，包括數(shù)字音樂(lè)播放器、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)。 根據(jù)三星電子和東芝的說(shuō)法，今年8月，美國(guó)司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。 市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 閃存芯片
傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問(wèn)題
- 據(jù)業(yè)者透露，韓國(guó)廠(chǎng)商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過(guò)消息來(lái)源不愿意透露這家韓國(guó)廠(chǎng)商的具體名稱(chēng)。據(jù)消息來(lái)源透露，這家韓國(guó)廠(chǎng)商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國(guó)地區(qū)的市場(chǎng)發(fā)售，不過(guò)目前部分銷(xiāo)往美國(guó)市場(chǎng)的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶(hù)的退貨。 據(jù)閃存控制芯片的廠(chǎng)商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級(jí)發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問(wèn)題，因此需要3個(gè)月的時(shí)間對(duì)這種新產(chǎn)品進(jìn)行充分的測(cè)試。
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)
- 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。 其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均銷(xiāo)售價(jià)格預(yù)計(jì)為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價(jià)格依舊保持在4.02美元。 盡管受到季節(jié)性銷(xiāo)售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷(xiāo)售價(jià)格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到了工藝升級(jí)上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)始存貨為即
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機(jī)遇
- 經(jīng)歷了09年初的低糜，IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機(jī)中復(fù)蘇，觀(guān)望其2010年的發(fā)展趨勢(shì)，可以說(shuō)是機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對(duì)于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)的有利與不利因素分別敍述，供業(yè)界探討與分析。 10大機(jī)遇 1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預(yù)期。FBR分析師Craig Berger說(shuō)：“亞洲芯片分銷(xiāo)商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷(xiāo)售將環(huán)比下降4到8個(gè)百分點(diǎn)，比起上個(gè)月我們調(diào)查得出的環(huán)比下降10個(gè)百分點(diǎn)情況更好，這是由11月份的工業(yè)、消費(fèi)和智能手機(jī)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
- 關(guān)鍵字： Altera LED IC NAND
FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器，具有ROM存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，存儲(chǔ)在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失，而芯片的引腳與訪(fǎng)問(wèn)又具有類(lèi)似于RAM的特點(diǎn)。NAND FLASH 存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)線(xiàn)與地址線(xiàn)復(fù)用為8條線(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 系統(tǒng) 應(yīng)用 嵌入式 MSP430F149 K9F1G08U0M FLASH
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開(kāi)多年無(wú)法突破的經(jīng)營(yíng)困境，而與臺(tái)積電未來(lái)如能合作，將會(huì)是個(gè)雙贏(yíng)的局面。張汝京的下臺(tái)，為臺(tái)積電、中芯國(guó)際都找到下一個(gè)春天。 11月11日，臺(tái)灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞：中芯國(guó)際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長(zhǎng)張汝京宣布辭職;董事會(huì)即刻宣布由王寧國(guó)接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺(tái)積電2億美元，并且無(wú)償授予臺(tái)積電8%的中芯股權(quán)，且臺(tái)積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購(gòu)2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺(tái)灣
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 晶圓 NOR NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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