nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價(jià)格
- 據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國公平貿(mào)易委員會(huì)(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)器大廠有任何操控價(jià)格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲(chǔ)器市場相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價(jià)格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲(chǔ)器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個(gè)國家調(diào)查是否存在柯斷，近期
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韓國結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為
- 韓國公平交易委員會(huì)在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。 該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過公平交易委員會(huì)沒有點(diǎn)出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備，包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)。 根據(jù)三星電子和東芝的說法，今年8月，美國司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。 市場調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題
- 據(jù)業(yè)者透露，韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售，不過目前部分銷往美國市場的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。 據(jù)閃存控制芯片的廠商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級(jí)發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問題，因此需要3個(gè)月的時(shí)間對(duì)這種新產(chǎn)品進(jìn)行充分的測試。
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NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)
- 根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。 其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價(jià)格依舊保持在4.02美元。 盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價(jià)格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到了工藝升級(jí)上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
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聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機(jī)遇
- 經(jīng)歷了09年初的低糜，IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機(jī)中復(fù)蘇，觀望其2010年的發(fā)展趨勢，可以說是機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對(duì)于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場的有利與不利因素分別敍述，供業(yè)界探討與分析。 10大機(jī)遇 1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預(yù)期。FBR分析師Craig Berger說：“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷售將環(huán)比下降4到8個(gè)百分點(diǎn)，比起上個(gè)月我們調(diào)查得出的環(huán)比下降10個(gè)百分點(diǎn)情況更好，這是由11月份的工業(yè)、消費(fèi)和智能手機(jī)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
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FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器，具有ROM存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，存儲(chǔ)在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失，而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點(diǎn)。NAND FLASH 存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)線與地址線復(fù)用為8條線
- 關(guān)鍵字： 系統(tǒng) 應(yīng)用 嵌入式 MSP430F149 K9F1G08U0M FLASH
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境，而與臺(tái)積電未來如能合作，將會(huì)是個(gè)雙贏的局面。張汝京的下臺(tái)，為臺(tái)積電、中芯國際都找到下一個(gè)春天。 11月11日，臺(tái)灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞：中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會(huì)即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺(tái)積電2億美元，并且無償授予臺(tái)積電8%的中芯股權(quán)，且臺(tái)積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺(tái)灣
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Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制
- 在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會(huì)于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對(duì)手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。 除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
- 關(guān)鍵字： 鎂光 NAND 閃存
海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求
- 據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。 海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場已走出過去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。 隨著景氣逐漸回升，海力士計(jì)劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴(kuò)張目前的NAND
- 關(guān)鍵字： Hynix 存儲(chǔ)器 NAND
基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動(dòng)程序分析與移植
- 基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動(dòng)程序分析與移植,0 引 言
嵌入式系統(tǒng)需要支持的外部設(shè)備種類繁多，如何構(gòu)造運(yùn)行良好的嵌入式設(shè)備的驅(qū)動(dòng)程序，對(duì)嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用有重要意義。eCos是一種源代碼公開的實(shí)時(shí)嵌人式操作系統(tǒng)，對(duì)嵌入式應(yīng)用具有良好的支持，內(nèi) - 關(guān)鍵字： 分析 移植 驅(qū)動(dòng)程序 FLASH eCos 操作系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)
PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%
- 沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來，存儲(chǔ)器廠對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級(jí)至4GB，市場對(duì)于后市看法相當(dāng)樂觀，原本外界預(yù)期12月合約價(jià)格會(huì)開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價(jià)格又開始蠢蠢欲動(dòng)，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 存儲(chǔ)器模塊廠一致看好2010
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東芝等日本半導(dǎo)體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)
- 隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長，東芝(Toshiba)等日本半導(dǎo)體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動(dòng)輒停工近20天的嚴(yán)峻局面。 報(bào)導(dǎo)指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達(dá)13天，惟因今年春天以后智慧型手機(jī)訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)不停工。 報(bào)導(dǎo)指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計(jì)劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
- 關(guān)鍵字： Toshiba NAND MCU
JTAG模式下的MPC5554外部FLASH編程的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 0 引 言
隨著信息技術(shù)的發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越廣泛地應(yīng)用于手機(jī)通信、汽車、航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在這些電子產(chǎn)品中，大多以嵌人式微處理器為核心，配套相關(guān)的外圍輔助設(shè)備，對(duì)控制對(duì)象進(jìn)行軟硬件的功能 - 關(guān)鍵字： 編程 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) FLASH 外部 模式 MPC5554 JTAG
東芝等日本半導(dǎo)體巨頭恢復(fù)增產(chǎn)投資
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，日本國內(nèi)的半導(dǎo)體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機(jī)等設(shè)備上使用的閃存，并在該領(lǐng)域排名全球第二，該公司計(jì)劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達(dá)公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計(jì)劃在2010財(cái)年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。 自今年夏天以來，全球半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)堅(jiān)挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復(fù)。全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹(jǐn)慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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