要可靠啟動DSP系統(tǒng)中用戶代碼，關鍵是Flash正確可靠燒寫。提出了一種基于CCS簡單、容易理解的直接燒寫方法。通過恰當設置COFF代碼段，保存運行地址必需的DATA，以在線編程的方式將保存的DATA燒寫到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗板，對Flash燒寫上電加載后，DSP能夠正確、穩(wěn)定的運行。給出了直接燒寫方法，操作簡便，容易掌握，為DSP系統(tǒng)中Flash的燒寫提供了一條有效解決途徑。
關鍵字：
Flash CCS DSP 燒寫
根據國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商Numonyx。
這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進入NOR閃存業(yè)務，并獲得Numonyx的phase-change memory技術。
Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導體持股49%。金融服務公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時投資了1.5億美元。閃存業(yè)務對英特爾和意法半導
關鍵字：
英特爾 NAND 閃存芯片 智能手機
韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產DRAM，將DRAM的生產全數轉為使用12寸晶圓，以藉由使用產能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。
報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內生產使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產，故待奧斯丁工廠停止生產后，三星電子的DRAM生產將全數轉為使用12寸晶圓。
彭博社曾于日前轉述韓國網路媒體“E-Daily”報導指
關鍵字：
三星 DRAM 晶圓 NAND
全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領導。雙方代表齊聚一堂，共同見證了這一重要歷史時刻。
恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術
關鍵字：
Numonyx NOR NAND RAM PCM
美國從事半導體相關市場調查的IC Insights發(fā)布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。
IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經濟低迷的2009年也不會例外。
供貨容量也將大幅增長。即使是全球經濟低迷的200
關鍵字：
三星 NAND 閃存
在全球金融危機影響下，由于市場的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。
投入多產出少，能持久嗎?
SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術未來發(fā)展的幾點看法，認為NAND閃存產業(yè)正處在十字路口，未來的產能需要和產品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導致銷售額沒有相應的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
關鍵字：
SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲器
SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個產業(yè)供應鏈也已經看到穩(wěn)定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進。
晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進一步
關鍵字：
臺積電 晶圓代工 NAND
0 引 言
關鍵字：
VxWorks FLASH NAND 驅動
面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉進32納米的NAND Flash制程技術，東芝原本預計32納米制程產量，在年底可達產能30%，但以目前進度來看，勢必會延后量產時間點，其控制芯片供應商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產品線都已經準備妥當，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進入量產階段。此外，群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長，估計月增率可達10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚。
東芝43納米制程量產成熟，下半年積極轉進
關鍵字：
東芝 32納米 NAND
根據配備各種存儲器的電子終端等的產量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。
按8Gbit產品換算，NAND需求規(guī)模將達到400億個
《日經市場調查》的調查結果顯示，按8Gbit產品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
關鍵字：
三星 DRAM NAND
在今后的2年～3年內，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術，NAND閃存很有可能實現(xiàn)128Gb的容量。
但是，如果要實現(xiàn)超過128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術。目前正在量產的NAND閃存通常都使用浮柵結構的存儲單元。許多工程師也認為，2011年～2012年將量產的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結構的存儲單元。但據SanDisk公司分析，當工藝發(fā)展到20nm以下時，從
關鍵字：
SanDisk 20nm NAND
隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產能相當吸引人，不會像奇夢達倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。
現(xiàn)階段TMC還未有產能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
關鍵字：
美光 DRAM NAND
三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內存芯片工廠進行升級改造，這一過程中將裁員500人。
三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。
今年早些時候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當地擁有兩家工廠，分別生產DRAM內存芯片和NAND閃存芯片。
關鍵字：
三星 內存芯片 DRAM NAND
手機及其它移動電子設備微型投影機發(fā)展驚人
據 iSuppli 公司，由于能夠克服移動電子設備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機等產品中的微型投影機的出貨量未來四年將增長約 60 倍。
到 2013 年，內嵌式微型投影機的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對內嵌式微型投影機全球出貨量的預測。
iSuppli 對微型投影機的定義是：重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機。雖然微
關鍵字：
智能手機 NAND
NAND閃存產業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產能需要和產品需求“失去了關聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。
積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅動力——嵌入式移動應用市場。
Harari在閃存峰會的主題演講中
關鍵字：
SanDisk NAND 閃存
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473