EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片
- 英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲(chǔ)容量為每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特。這個(gè)存儲(chǔ)密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)存儲(chǔ)單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。 美光NAND閃存營(yíng)銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說(shuō)，雖然在一個(gè)存儲(chǔ)單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒(méi)有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒(méi)有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。固
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米
臺(tái)灣媒體：奇夢(mèng)達(dá)資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜
- 曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢(mèng)達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心，至于蘇州封測(cè)也傳出將由華潤(rùn)集團(tuán)接手，而這些收購(gòu)公司背后都有國(guó)資背景，顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。 德國(guó)內(nèi)存龍頭廠奇夢(mèng)達(dá)確定遭到市場(chǎng)淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢(mèng)達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國(guó)的弗吉尼亞與德國(guó)的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來(lái)西亞的后段封測(cè)廠。至于奇夢(mèng)達(dá)在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
- 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達(dá) 晶圓 服務(wù)器 DRAM NAND
日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇 廠家暑期加班應(yīng)對(duì)
- 據(jù)日本媒體報(bào)道，日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長(zhǎng)等因素，市場(chǎng)需求得到恢復(fù)，庫(kù)存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績(jī)有望得到好轉(zhuǎn)，也可能為日本國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來(lái)一股活力。 在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計(jì)劃開工。 東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機(jī)等的&
- 關(guān)鍵字： 夏普 液晶面板 半導(dǎo)體 NAND
R8C/1B單片機(jī)的Flash編程/擦除掛起功能
- Flash存儲(chǔ)器已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。但是在對(duì)Flash進(jìn)行編程或擦除的操作過(guò)程中，如果單片機(jī)需要處理一些緊急的情況(如中斷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等等)，就需要暫停相對(duì)比較消耗時(shí)間的Flash編程/擦寫過(guò)程，優(yōu)先處理這些緊急情況。這對(duì)Flash存儲(chǔ)器的工藝水平及控制技術(shù)提出了更高的要求。 瑞薩公司推出的R8C/1B單片機(jī)采用改進(jìn)的Flash存儲(chǔ)器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時(shí)間，使其能夠更加及時(shí)地響應(yīng)中斷或進(jìn)行其他操作。 Flash編程/擦除掛起功能 所謂掛起功能，是
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 R8C Flash
東芝大砍6成芯片支出 轉(zhuǎn)加強(qiáng)電力及基礎(chǔ)建設(shè)
- 8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長(zhǎng)將減緩，并尋求擴(kuò)張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù)，3年后其電力及基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)的獲利，將達(dá)電子產(chǎn)品部的2倍。 東芝的半導(dǎo)體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營(yíng)業(yè)虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領(lǐng)域?qū)で蠊潭I(yíng)收來(lái)源，例如健康醫(yī)療及水處理等。 東芝目前預(yù)期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結(jié)束的會(huì)計(jì)年度，獲利將達(dá)約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì)基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)獲利則可達(dá)2000億
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 晶圓
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)既樂(lè)觀又擔(dān)憂的7個(gè)理由
- 盡管最近市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI仍不修正半導(dǎo)體業(yè)陰沉的預(yù)測(cè)， 即09年全球設(shè)備市場(chǎng)下降44.2%及半導(dǎo)體市場(chǎng)下降12.4%，而其CEO Hutcheson對(duì)于IC工業(yè)仍非常樂(lè)觀。 根據(jù)與Hutcheson的對(duì)話及公司的最新報(bào)告， 以下將結(jié)論刊出， 共有4個(gè)正面意見及2個(gè)負(fù)面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂(lè)觀或者擔(dān)心的原因。 1. 看到回升 7月的周報(bào)IC銷售額上升到33億美元， 打破了三周來(lái)IC銷售額的陰沉局面， 因?yàn)橥ǔ?月是典型的弱月份， 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
- 關(guān)鍵字： Cisco 通訊 太陽(yáng)能 NAND
第二季度NAND Flash市場(chǎng)收入大漲33.6%
- 在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場(chǎng)庫(kù)存回補(bǔ)需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收都較上一季成長(zhǎng)，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營(yíng)收為27億8千6百萬(wàn)美元，較上一季的20億8千6百萬(wàn)美元成長(zhǎng)33.6%QoQ。 就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排行來(lái)看，Samsung營(yíng)收為10億3千7
- 關(guān)鍵字： Micron NAND
基于SoPC目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用
- 隨著EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)技術(shù)的發(fā)展和可編程邏輯器件性能的不斷提高，基于FPGA的可編程片上系統(tǒng)技術(shù)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了一種簡(jiǎn)單、靈活、高效的途徑?；贜iosII的可編程片上系統(tǒng)(SoPC)設(shè)計(jì)中，幾乎所有的應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用Flash存儲(chǔ)器，而Flash的編程必需相應(yīng)的目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)支持。結(jié)合實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)論述了目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： Flash SoPC 編程
東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價(jià)格上漲10%
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降，帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。 內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，過(guò)去記憶卡價(jià)格一直嚴(yán)重偏低，業(yè)界趁此機(jī)會(huì)調(diào)漲終端記憶卡售價(jià)，但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機(jī)率則不高。 業(yè)內(nèi)人士表示，2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續(xù)上漲，記憶卡價(jià)格卻沒(méi)有跟上來(lái)，導(dǎo)致NAND Flas
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 晶圓
三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱“BTG”)今天向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利，要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲(chǔ)密度。 申訴材料指出，包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存芯片 MLC
海力士41納米通過(guò)認(rèn)證 切入蘋果供應(yīng)鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來(lái)，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得認(rèn)證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤，導(dǎo)致虧損
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲(chǔ)器
NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩(wěn)住陣腳
- 7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多，因此即使市場(chǎng)的買氣平平，NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)則是維持低價(jià)搶單的策略;市調(diào)機(jī)構(gòu)英鼎(inSpectrum)預(yù)估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì)較第2季成長(zhǎng)25%，估計(jì)約16.26億顆(以8Gb容量計(jì)算)。 根據(jù)英鼎
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 記憶卡
臺(tái)塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺(tái)塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團(tuán)挹注資金、爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機(jī)構(gòu)評(píng)估中。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說(shuō)服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)坐大，甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭(zhēng)取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
- 關(guān)鍵字： TMC DRAM NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473