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          讓汽車更智能,適用于汽車遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

          •   被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕,來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來描繪下一代汽車發(fā)展藍(lán)圖,其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來的發(fā)展方向?! ±?,豐田展出的“愛i”系列,能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式,甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車,豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”,不僅助力環(huán)保,更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個高清晰攝像頭,能捕捉到周圍的行人、車輛
          • 關(guān)鍵字: NAND  LPDDR4  

          圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

          • 中國存儲器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

          •   三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為最大宗,研調(diào)機構(gòu)IC Insights認(rèn)為,3D NANDFlash恐將供過于求。   IC Insights預(yù)估,今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元,將成長35%;其中,三星今年資本支出將倍增至260億美元,比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。   三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash),將達(dá)140億美元,IC Insights指出,三星將斥資70億美元,推進(jìn)動態(tài)
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強勁

          •   11月9日消息,據(jù)國外媒體報道,日本東芝公司今天公布財報顯示,由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強勁業(yè)績的驅(qū)動,該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近,該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。   處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示,本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。   這個業(yè)績好于分析師預(yù)期,湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估,東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

          •   美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后,開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度,日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成,將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問世,預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣,同年第2季量產(chǎn)。   美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn),除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域,也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用,日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。  
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

          •   美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后,開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度,日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成,將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問世,預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣,同年第2季量產(chǎn)。   美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn),除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域,也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用,日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。  
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

          IC Insights:全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場預(yù)測提升至22%

          •   據(jù)IC Insights預(yù)測,2017年的IC市場增長率有望提高到22%,較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點,出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。   此外,IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子,傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預(yù)測??傮w而言,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計增長達(dá)20%,比年中預(yù)期調(diào)高5個百分點。   2017年,IC Insights預(yù)測DRAM的平均售價將大漲77%,預(yù)計今年將推動DRAM
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

          • DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時代的輝煌,很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲器  

          東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn):預(yù)估少生產(chǎn)40萬TB容量

          •   援引DigiTimes報道,東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊,被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間,這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。   DigiTimes消息稱為了清除惡意程序,東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復(fù)正常供應(yīng),預(yù)估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn),能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。   近年來由于智能手機和服務(wù)器的需求不斷增大,NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家?

          • DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象,在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中,也許大家都是贏家。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

          基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

          •   摘要:NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況,針對這種情況,本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法,實驗結(jié)果表明,此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外,針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù),如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等,使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍睿瓿蒒AND FLASH的時序配合,從而達(dá)到器件性
          • 關(guān)鍵字: NAND  magnum   

          DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

          • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較,弄清兩者的區(qū)別
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  RAM  

          Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析

          •   Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。  1989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,NAND應(yīng)用越來越廣泛,但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點:分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
          • 關(guān)鍵字: Nand Flash  東芝  

          3D NAND微縮極限近了嗎?

          • 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  摩爾定律  

          群聯(lián)潘健成:未來五年 NAND供不應(yīng)求

          •   內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事,由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當(dāng)選。在市場供需方面,群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示,未來五年,儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。   臺灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團組織調(diào)整,今年8月1日辭去群聯(lián)董事,群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選,并順利由東芝內(nèi)存株式會社當(dāng)選。   潘健成表示,東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè),東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資,也透過合作互補,強化技術(shù),雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密,在產(chǎn)業(yè)的競
          • 關(guān)鍵字: NAND  
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          nand 介紹

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