nand 文章 進(jìn)入nand 技術(shù)社區(qū)
2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D不如預(yù)期，導(dǎo)致2017年非三星陣營的新
- 關(guān)鍵字： NAND 西數(shù)
2017年全球存儲市場規(guī)模將達(dá)950億美元
- 日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機(jī)會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，參會觀眾超
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預(yù)期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預(yù)期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)財團(tuán)、
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 東芝
CFM：原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場仍缺貨到年底
- 9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)。 當(dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機(jī)、電腦、
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
莫大康：中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍
- 與美國在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 01引言 近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標(biāo)奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。 此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴(kuò)大芯片的自給率。 另一個是西方千方百計的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴(kuò)產(chǎn)
- 2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計劃，預(yù)計資本支出上看150億~220億美元，遠(yuǎn)超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。 三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場強(qiáng)勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)揚(yáng)
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝
DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況
- 開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團(tuán)表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設(shè)初期，短期無法產(chǎn)生銷售收入，時機(jī)不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 NAND
三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴(yán)重。 業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價遠(yuǎn)比DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
各家爭鳴存儲器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲存技術(shù)之爭再掀戰(zhàn)火
- 在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導(dǎo)競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵喕疐lash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。 根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導(dǎo)，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
nand 介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand !
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 的理解，并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 的理解，并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nand 電路
nand 相關(guān)帖子
nand 資料下載
nand 專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473