nand 文章 進(jìn)入nand 技術(shù)社區(qū)
臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團(tuán)挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機(jī)構(gòu)評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤
- 英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設(shè)計(jì)，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價格(與一年前推出產(chǎn)品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費(fèi)者帶來實(shí)惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機(jī)，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
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英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻 三星買氣清淡
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程N(yùn)AND Flash產(chǎn)品，應(yīng)戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計(jì)畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當(dāng)驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場活絡(luò)度則降低。 英特爾
- 關(guān)鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米
三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資
- 電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱，預(yù)計(jì)韓國三星電子下半年在一個半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。 該報(bào)未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動上稱，三星預(yù)計(jì)下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計(jì)劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。 ETnews報(bào)稱，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側(cè)重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 30納米 NAND
NAND閃存價格波動 破壞SSD市場普及性
- 周一消息 研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預(yù)期。 iSuppli專研行動和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因?yàn)镾SD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。 多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 MLC
英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實(shí)際的意義。 按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。 在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。 究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND 存儲器
全球DRAM及NAND零售價推動毛利率上升
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價但是仍很難促進(jìn)存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉(zhuǎn)。 由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DRAM NAND 34納米
09年固態(tài)硬盤市場份額不會大提升
- 雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報(bào)告表明,固態(tài)硬盤在標(biāo)準(zhǔn)筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設(shè)備上依然選擇的是機(jī)械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應(yīng)該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 較高的價格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據(jù)市場調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價格走勢,SSD產(chǎn)品的市場接受度將會下降.
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Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤
- 近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達(dá)到320GB左右。 固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
利潤驚人 iPhone 3GS成本僅179美元
- 雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經(jīng)是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費(fèi)電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應(yīng)商及評估產(chǎn)品成本。據(jù)悉，第三代蘋果手機(jī)iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價。 通常而言，最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代，尤其對于iPh
- 關(guān)鍵字： 蘋果 NAND GPS 處理芯片
恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機(jī)及移動應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
NAND Flash再刮大風(fēng) 30納米世代競賽起跑
- 全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準(zhǔn)備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開始準(zhǔn)備最新版35納米制程N(yùn)AND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 30納米 43納米
三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非?？?，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。 三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
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