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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗戰(zhàn)線不斷擴(kuò)大

　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說是一團(tuán)混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì)，雖然大家對(duì)于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。　　TRI觀點(diǎn)：　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
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Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計(jì)將達(dá)到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。　　Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點(diǎn)是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實(shí)繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計(jì)隨著DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將糾正資本開支的長(zhǎng)期錯(cuò)誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場(chǎng)的開支將減少。代工廠商開支增長(zhǎng)速度減緩和由于擔(dān)心美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
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供大于求明年NAND閃存市場(chǎng)難以復(fù)蘇

　　比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人編譯) 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，內(nèi)存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場(chǎng)仍將處于供大于求的局面，這不僅對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價(jià)格。　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價(jià)格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價(jià)格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價(jià)格沒有出現(xiàn)大幅滑落。　　NAND閃存合同價(jià)格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
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NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域借以擴(kuò)大市占率

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對(duì)NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)表研究報(bào)告指出，2008年起，除了由原手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲(chǔ)存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(zhǎng)至15.3%。　　拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī)，到2006年MP3 Pla
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iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟(jì)不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售收入預(yù)期，不過對(duì)于整個(gè)市場(chǎng)形勢(shì)仍持樂觀態(tài)度。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，iSuppli的最新預(yù)期顯示，2008年全球半導(dǎo)體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評(píng)估數(shù)據(jù))增長(zhǎng)7.5%，而iSuppli今年9月份預(yù)測(cè)的增幅為9.3%，預(yù)期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。　　iSuppli表示，2008年半導(dǎo)體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響，美國(guó)經(jīng)濟(jì)2008年的預(yù)期并不樂觀，而美國(guó)經(jīng)濟(jì)的影響力自然會(huì)波及全球
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東芝推出首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存

　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級(jí)別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計(jì)算機(jī)。計(jì)劃2008年第一季度出貨，并同時(shí)開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國(guó)拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
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DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化預(yù)計(jì)08年資本開支下滑超過30%

　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報(bào)告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國(guó)之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預(yù)計(jì)2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。　　在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后，該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計(jì)
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各類器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高

　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。　　ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。　　ICInsights認(rèn)為，
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內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計(jì)欲破摩爾定律

　　很多廠商都設(shè)計(jì)出了未來的閃存技術(shù)，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營(yíng)銷活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對(duì)電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷售額增長(zhǎng)37%，達(dá)42億美元

　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長(zhǎng)37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價(jià)格將下降18%。　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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閃存成本下滑固態(tài)硬盤價(jià)格將下降筆記本很有優(yōu)勢(shì)

　　固態(tài)硬盤明年仍然少見且價(jià)格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價(jià)格從2009年，2010年開始將開始下降。　　DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計(jì)劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。　　Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號(hào)。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
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三星減少NAND閃存供貨量擬甩掉臺(tái)灣廠商

　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺(tái)灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng)，許多分析人士認(rèn)為未來閃存市場(chǎng)或許將會(huì)出現(xiàn)另一番局面。　　三星和海力士減少向臺(tái)灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國(guó)際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨(dú)沒有對(duì)群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺(tái)灣企業(yè)開始考慮降低對(duì)大廠商產(chǎn)品的依賴。　　一些臺(tái)灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)中的應(yīng)用

　　1 引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場(chǎng)不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對(duì)于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，選擇介質(zhì)存儲(chǔ)是需要重點(diǎn)考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲(chǔ)，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長(zhǎng)期在惡劣的環(huán)境中長(zhǎng)期工作。電子式Flash存儲(chǔ)器具有速度快、容量大、成本低、體積
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供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

　　美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。　　NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
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年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價(jià)短期平穩(wěn)

　　11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%，比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小，主要是因?yàn)橄掠慰蛻粼?0月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫存的動(dòng)作，加上市場(chǎng)預(yù)期11月中旬要開始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。　　隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流，導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
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