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          內(nèi)存晴雨表:聲稱內(nèi)存市場復蘇的報告過于夸張

          •   在面臨破產(chǎn)威脅之際,許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象,紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。   繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后,這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%,第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。   圖4所示為iSuppli公
          • 關鍵字: iSuppli  NAND  DRAM  

          集邦:海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

          •   針對NAND閃存產(chǎn)業(yè),研究機構(gòu)集邦科技最新研究報告指出,三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座,而海力士則因大幅減產(chǎn),市場占有率恐將下滑剩下10%,落居第5名。   集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產(chǎn)能、營運狀況分析指出,三星因擁有較大產(chǎn)能,同時制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米,預期今年市占率 40%以上居冠,日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降,但制程技術也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米,預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。   集邦科技表示,市場占有率第三和第
          • 關鍵字: 海力士  NAND  晶圓  

          三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

          •   4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單,要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片,用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成,引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想   韓國時報指出,有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果,而海力士也將供應2000萬顆。”   部分分析師認為,蘋果這次大規(guī)模訂單,將刺激韓國芯片廠商業(yè)績,同時,也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。   分析師還指出,N
          • 關鍵字: 三星  NAND  芯片  

          三維NAND內(nèi)存技術將讓固態(tài)存儲看到希望

          •   IBM的技術專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。   這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便。現(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
          • 關鍵字: IBM  NAND  固態(tài)存儲  

          FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

          •   美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶
          • 關鍵字: FSI  NAND  存儲器  

          FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

          •   全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
          • 關鍵字: FSI  半導體  NAND  

          業(yè)界稱Windows 7將推動NAND閃存芯片需求

          • 3月21日消息,內(nèi)存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求,因為這種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進行了優(yōu)化。在當前的市場不確定的情況下,優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
          • 關鍵字: 閃存  NAND  芯片  

          NAND多空未明 市場仍在觀望

          •         集邦科技(DRAMeXchange)表示,2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現(xiàn)上揚,現(xiàn)貨價格方面卻已經(jīng)開始下跌;然而,目前現(xiàn)貨市場仍處于多空未明狀態(tài),觀望氣氛濃厚,買家不敢貿(mào)然搶進。         集邦表示,2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%,SLC合約價則維持平盤,價格上漲的主要原因是今年首季國際大
          • 關鍵字: 集邦  NAND  Flash  

          三星NAND產(chǎn)業(yè)市場占有率40%

          •    市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年營收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化,2007年品牌廠商全年營收約為133億6千8百萬美元,2008年則為114億1千8百萬美元,年營收下跌14.6%,2008年平均銷售價格較2007年下跌63%。   Toshiba以全年營收為32億5百萬美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
          • 關鍵字: 三星  NAND  

          解密16G MLC NAND閃存表象下的技術細節(jié)

          受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價格回穩(wěn)

          •   12月25日消息,據(jù)臺灣媒體報道,NAND Flash12月下旬合約價出爐,終止先前下跌趨勢,至少都以平盤以上開出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價格回穩(wěn)走揚,將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價損失壓力。   業(yè)者指出,這次NAND Flash價格止跌回穩(wěn),主要是反應日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識,也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。   根據(jù)集邦科技昨日最新報價,NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出,其中以16Gb主流規(guī)格
          • 關鍵字: NAND  

          東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量

          •   東芝宣布,削減30%的閃存芯片產(chǎn)量,以應對需求降低,庫存增加的考驗。   東芝還說,位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天,以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。   東芝在一份聲明中說:“全球經(jīng)濟不景氣以及消費低迷正在對半導體需求產(chǎn)生嚴重沖擊。尤其是NAND閃存芯片,由于使用這種芯片的MP3播放器供應過剩,其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形,決   定降低四日市工廠的產(chǎn)量。”   東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
          • 關鍵字: NAND  

          半導體巨頭推動工藝研發(fā) 三個陣營角力

          •   國務院發(fā)展研究中心國際技術經(jīng)濟所研究員吳康迪   遵循“摩爾定律”的指引,全球半導體巨頭正邁向32納米工藝;不過,其研發(fā)策略卻各不相同。   全球32納米芯片微細技術開發(fā)主要有3個陣營,參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營,其次是英特爾公司,第三是日本公司,此外還有中國臺灣地區(qū)的臺積電、歐洲比利時微電子中心IMEC等。   英特爾技術業(yè)界領先   2007年9月,英特爾公司領先業(yè)界在“開發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
          • 關鍵字: 32納米  英特爾  NAND  

          東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%

          •   北京時間12月16日消息,據(jù)國外媒體報道,日本東芝與美國SanDisk公司周二表示,因全球經(jīng)濟下滑,打擊數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器的芯片需求,1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。   需求重挫加上產(chǎn)能過剩,造成半導體價格直落,令東芝芯片業(yè)務上半會計年度出現(xiàn)虧損。   首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為:“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項利好消息,但因為整體市場需求疲弱,單單如此還不足以提振NAND的價格。在出現(xiàn)復蘇前得先清出庫存,而這要有需求才能帶動。&r
          • 關鍵字: NAND  

          東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%

          •   北京時間12月16日消息,據(jù)國外媒體報道,日本東芝與美國SanDisk公司周二表示,因全球經(jīng)濟下滑,打擊數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器的芯片需求,1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。   需求重挫加上產(chǎn)能過剩,造成半導體價格直落,令東芝芯片業(yè)務上半會計年度出現(xiàn)虧損。   首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為:“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項利好消息,但因為整體市場需求疲弱,單單如此還不足以提振NAND的價格。在出現(xiàn)復蘇前得先清出庫存,而這要有需求才能帶動。&r
          • 關鍵字: NAND  東芝  SanDis  
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          nand 介紹

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