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iPhone銷售將影響NAND Flash市場(chǎng)供需

NAND flash方面，由于iPhone內(nèi)部使用的NAND flash顆粒是以三星（Samsung）的產(chǎn)品為主，所以三星的NAND flash營(yíng)收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預(yù)估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬(wàn)支左右，而2008年iPhone的出貨量將占全球手機(jī)市場(chǎng)的1%左右，到達(dá)1200萬(wàn)支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同，則iPhone耗用NAND flash的數(shù)量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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全球NAND Flash供貨將拉警報(bào)

　　NAND型閃存(Flash)供應(yīng)端下半年恐將拉警報(bào)，造成供貨嚴(yán)重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進(jìn)50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應(yīng)下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強(qiáng)化整體競(jìng)爭(zhēng)力，被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進(jìn)至50nm主流制程，加上為供應(yīng)蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無(wú)力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預(yù)期2007年下半全球NA
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美光對(duì)NAND Flash發(fā)布警告

　　全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來(lái)針對(duì)全球NAND Flash市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展發(fā)出警語(yǔ)表示，目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當(dāng)快速且先進(jìn)，但微影技術(shù)無(wú)法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設(shè)備商技術(shù)竟遠(yuǎn)落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來(lái)順利發(fā)展，還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商，自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。　　近來(lái)全球各大DRAM廠為能有效運(yùn)用旗下晶圓廠，加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅

根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)導(dǎo)， NAND閃存市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準(zhǔn)備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個(gè)領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競(jìng)爭(zhēng)，也在準(zhǔn)備因應(yīng)市場(chǎng)上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應(yīng)用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機(jī)。NAND業(yè)者最近動(dòng)作頻仍，市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家

NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，變化相當(dāng)快速，原本第一季度頭號(hào)存儲(chǔ)卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價(jià)格大跌之苦，然經(jīng)過(guò)這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲(chǔ)卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時(shí)期的優(yōu)勢(shì)發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價(jià)格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財(cái)報(bào)出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬(wàn)美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來(lái)最糟糕的”

根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來(lái)最惡劣的，并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會(huì)抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價(jià)和收益率的悲哀狀況了。與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價(jià)有望下降35%到40%。這種戲劇性的價(jià)格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個(gè)整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營(yíng)損失，該市場(chǎng)有史以來(lái)第一次發(fā)生這樣的事情。經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則需求對(duì)降價(jià)呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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NAND近期市場(chǎng)形勢(shì)升級(jí)為“中性”

對(duì)于受嚴(yán)重價(jià)格侵蝕打擊近六個(gè)月之久的NAND閃存供應(yīng)商來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在有好消息但不是最好的消息：iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場(chǎng)的形勢(shì)評(píng)級(jí)。目前，iSuppli將2006年10月2日那一周以來(lái)一直保持的NAND供應(yīng)商市場(chǎng)形勢(shì)評(píng)級(jí)自“負(fù)面”升為“中性”。就在兩周前，iSuppli還認(rèn)為供應(yīng)商的情況是有史以來(lái)最為糟糕的。但是峰回路轉(zhuǎn)—在持續(xù)惡劣條件的情況下，其拐點(diǎn)即將來(lái)臨。 iSuppli的NAND動(dòng)量指標(biāo)—上周跟蹤各項(xiàng)決定市場(chǎng)狀態(tài)因素的指標(biāo)向正臨界偏移，該現(xiàn)象是自2006年11月13日那一周后首次出現(xiàn)。
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NAND市場(chǎng)在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷

一季度NAND閃存市場(chǎng)有多糟糕？糟糕得驚人！ • 全球NAND市場(chǎng)營(yíng)收下降了6.84億美元，相比2006年第四季度下降了20.6%！ • 市場(chǎng)如此糟糕以至于一個(gè)被公認(rèn)為該市場(chǎng)領(lǐng)軍供應(yīng)商N(yùn)AND的營(yíng)收在此期間下降了10.1%！ • &nbs
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受三星停電事件影響 NAND價(jià)格上漲15-25%

根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價(jià)格受韓國(guó)三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場(chǎng)供貨不足，預(yù)估8月下旬價(jià)格將持平或小漲。據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件，使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況，根據(jù)該公司初步估計(jì)損失約4300萬(wàn)美元。 &
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NAND閃存芯片吃緊加劇行業(yè)整合態(tài)勢(shì)

隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來(lái)越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場(chǎng)中退出。　　今年前一段時(shí)間NAND閃存芯片價(jià)格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價(jià)格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來(lái)，因?yàn)椴⒎撬械膬?nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。　　現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
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中芯國(guó)際切入NAND閃存市場(chǎng)

在iPhone的帶動(dòng)下，NAND閃存市場(chǎng)近期一片大好，國(guó)內(nèi)的晶元代工大廠中芯國(guó)際也抵制不住NAND閃存市場(chǎng)的誘惑，在近期宣布，下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā)，預(yù)計(jì)明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應(yīng)廠之一。受到今年Q2內(nèi)存價(jià)格崩盤以及0.13微米制程代工競(jìng)爭(zhēng)激烈影響，國(guó)內(nèi)晶元代工大廠中芯國(guó)籍Q2營(yíng)收出現(xiàn)約200萬(wàn)美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口

5月31日消息，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。據(jù)techspot網(wǎng)站報(bào)道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機(jī)控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導(dǎo)成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。該組織希望能夠加速其標(biāo)準(zhǔn)的普及，從而使其優(yōu)勢(shì)得到真正的體驗(yàn)。英特爾或其它廠商是否會(huì)將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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美國(guó)美光科技：NAND閃存的未來(lái)在SSD

作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國(guó)美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(huì)（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（D
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NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺(tái)模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦三星陣營(yíng)臺(tái)廠壓力倍增

相較于DRAM價(jià)格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對(duì)于拉抬NAND型閃存( Flash)市場(chǎng)不遺余力，然最令客戶頭痛的問(wèn)題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問(wèn)題，釋出給臺(tái)廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營(yíng)的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場(chǎng)低價(jià)策略越來(lái)越積極，這讓與三星電子站在同一陣營(yíng)的臺(tái)廠壓力倍增。近期三星電子不斷釋出N
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