nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

前幾天看到群里在討論存儲(chǔ)器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了prom，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類(lèi)文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫(xiě)入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 flash EEPROM

群聯(lián)3月?tīng)I(yíng)收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄

近日，存儲(chǔ)廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運(yùn)結(jié)果，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣67.75億元，年成長(zhǎng)達(dá)73%，刷新歷史單月?tīng)I(yíng)收新高紀(jì)錄。全年度營(yíng)收累計(jì)至3月份達(dá)新臺(tái)幣165.26億元，年成長(zhǎng)達(dá)64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計(jì)總出貨量年成長(zhǎng)達(dá)96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計(jì)至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長(zhǎng)率（Bit Growth Rate）也達(dá)80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場(chǎng)需求持續(xù)緩步回升趨勢(shì)不
關(guān)鍵字：群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤(pán) NAND Flash

3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
關(guān)鍵字： NAND Flash 存儲(chǔ)芯片鎧俠

3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
關(guān)鍵字： 3D NAND 集邦咨詢(xún)

第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購(gòu)量較第一季小幅下滑，但整體市場(chǎng)氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫(kù)存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)將強(qiáng)勢(shì)上漲約13~18%。eMMC方面，中國(guó)智能手機(jī)品牌為此波eMMC最大需求來(lái)源，由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類(lèi)別產(chǎn)品，中國(guó)模組廠出貨大幅提升。買(mǎi)方為了滿(mǎn)足生產(chǎn)需求開(kāi)始擴(kuò)大采用模組廠方案，助益中國(guó)模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)及
關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD

西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉

月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專(zhuān)注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤(pán)業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱(chēng)，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營(yíng)?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門(mén)成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長(zhǎng)。圖片來(lái)源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何？據(jù)悉，自2021年以來(lái)，西部數(shù)據(jù)及
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND Flash 西部數(shù)據(jù)

2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%：三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布市場(chǎng)研究報(bào)告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星（Samsung）增長(zhǎng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷(xiāo)售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)（SK Group）受惠于價(jià)
關(guān)鍵字： NAND 閃存存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析

淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象，在電子應(yīng)用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導(dǎo)體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續(xù)工作之后，其功能會(huì)逐漸喪失，這被稱(chēng)為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái)，電子產(chǎn)品與人類(lèi)的聯(lián)系越來(lái)越緊密，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對(duì)電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
關(guān)鍵字：電遷移半導(dǎo)體失效世健 Microchip Flash FPGA

1年利潤(rùn)暴跌84.9%！三星樂(lè)觀今年業(yè)績(jī)回暖：存儲(chǔ)漲價(jià)是開(kāi)始

2月1日消息，存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過(guò)，全年利潤(rùn)暴跌84.9%，確實(shí)沒(méi)辦法，不過(guò)他們保持樂(lè)觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷，尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年?duì)I收為258.94萬(wàn)億韓元，同比減少14.3%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬(wàn)億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法，2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖，其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止，只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAN
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 三星鎂光海力士 NAND

一季度 NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15%-20%

供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
關(guān)鍵字： NAND Flash

閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮

2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢(shì)，供應(yīng)鏈人士透露，2024 年 1 月，預(yù)計(jì) NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢(shì)，到第二季度，漲幅將達(dá)到 10%。過(guò)去幾年，隨著整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的變化，NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導(dǎo)致當(dāng)年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過(guò)一年的低迷期后，NOR Flash 價(jià)格在 2
關(guān)鍵字： NOR Flash

NAND Flash和NOR Flash的異同

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NAND=NOT AND(與非門(mén)) &?NOR=NOT OR(或非門(mén))相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程?！?兩者在寫(xiě)之前都要先
關(guān)鍵字： NAN Flash NOR 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)

預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，但為避免缺貨，買(mǎi)方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位，而供應(yīng)商為減少虧損，對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過(guò)高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴(lài)Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce

SSD 正迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升

2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲(chǔ)行情終在四季度發(fā)生逆轉(zhuǎn)，尤其以 Flash Wafer 為代表的產(chǎn)品在 9 月、10 月、11 月的價(jià)格連續(xù)上漲，站在目前的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，雖然從需求端看完全改善還需時(shí)日，但在各大原廠積極減產(chǎn)的作用下，供應(yīng)已經(jīng)大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，自 10 月份以來(lái)，現(xiàn)貨市場(chǎng) NAND Flash 價(jià)格指數(shù)漲幅已達(dá) 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價(jià)的第一槍。NAND 大漲價(jià)！近日，全球第四大 NAND Flash 供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)對(duì)客戶(hù)發(fā)出漲價(jià)通知信。在信中
關(guān)鍵字： SSD NAND

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) DRAM NAND Flash