nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND

基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲(chǔ)器的起始位置開(kāi)始存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，會(huì)覆蓋上次存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，無(wú)法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲(chǔ)。針對(duì)該問(wèn)題，本文設(shè)計(jì)了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開(kāi)辟專(zhuān)用的存儲(chǔ)空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機(jī)理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機(jī)圖，并進(jìn)行了驗(yàn)證。
關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址

因業(yè)務(wù)低迷，消息稱(chēng)三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，為了克服低迷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)狀況，三星電子計(jì)劃停止其位于韓國(guó)平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示，鑒于市場(chǎng)持續(xù)低迷，業(yè)界猜測(cè)三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì)減少 10% 左右，而三星在近來(lái) 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
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基于NAND門(mén)的行李安全警報(bào)

在乘坐火車(chē)和公共汽車(chē)的旅途中，我們會(huì)攜帶許多重要的物品，而且總是擔(dān)心有人會(huì)偷走我們的行李。因此，為了保護(hù)我們的行李，我們通常會(huì)用老辦法，借助鏈條和鎖來(lái)鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會(huì)擔(dān)心有人會(huì)割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個(gè)基于 NAND 門(mén)的簡(jiǎn)易電路。在這個(gè)電路中，當(dāng)有人試圖提起你的行李時(shí)，它就會(huì)發(fā)出警報(bào)，這在你乘坐公共汽車(chē)或火車(chē)時(shí)非常有用，即使在夜間也是如此，因?yàn)樗€能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報(bào)警電路的幫助
關(guān)鍵字： NAND 邏輯門(mén)

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲(chǔ)器，內(nèi)容寫(xiě)入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開(kāi)機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤(pán)bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí)，計(jì)算機(jī)將C盤(pán)目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過(guò)cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲(chǔ)器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲(chǔ)器，但是只可以編寫(xiě)一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，類(lèi)似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
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6月中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見(jiàn)到部分供應(yīng)商開(kāi)始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)，對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估6月在模組廠啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來(lái)的猛烈跌勢(shì)，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫(kù)存仍待促銷(xiāo)去化，現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
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傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營(yíng)收或超三星？

近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲(chǔ)器大廠鎧俠與合作方美國(guó)西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營(yíng)已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運(yùn)營(yíng)巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱(chēng)，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開(kāi)展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營(yíng)銷(xiāo)的方案等，未來(lái)雙方將進(jìn)行經(jīng)營(yíng)合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱(chēng)，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績(jī)低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營(yíng)效率并提高競(jìng)爭(zhēng)力。資料顯示，鎧俠
關(guān)鍵字：鎧俠西數(shù) NAND Flash 三星

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見(jiàn)回暖

業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5

需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第一季NAND Flash買(mǎi)方采購(gòu)動(dòng)能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過(guò)降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jī)H微幅環(huán)比增長(zhǎng)2.1%，平均銷(xiāo)售（ASP）單價(jià)季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量?jī)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

中國(guó)北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達(dá)128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應(yīng)對(duì)大容量代碼存儲(chǔ)需求的同時(shí)，提供極大限度的緊湊型設(shè)計(jì)自由。近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護(hù)、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展，市場(chǎng)需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶(hù)，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫(kù)存，包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為，見(jiàn)到一些客戶(hù)的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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