nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

三星西安工廠工藝升級(jí)獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

據(jù)悉，三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定，將升級(jí)位于中國(guó)西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級(jí)已下單采購(gòu)最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_(kāi)始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開(kāi)始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項(xiàng)目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬(wàn)張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計(jì)劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估8~13%

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢(shì)將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對(duì)低點(diǎn)預(yù)備庫(kù)存，采購(gòu)量會(huì)較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量，已在第三季推出促銷(xiāo)，故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
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三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權(quán)

10月9日，韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國(guó)目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國(guó)工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國(guó)出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國(guó)政府決定延長(zhǎng)對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲(chǔ)芯片，果真回暖了

受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來(lái)日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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消息稱(chēng)三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格

10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過(guò)低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報(bào)道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
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面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略

面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略據(jù)韓國(guó)新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國(guó)家安全護(hù)欄，韓國(guó)半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們?cè)谥袊?guó)的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來(lái)針對(duì)國(guó)內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對(duì)三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來(lái)10年內(nèi)避免在中國(guó)進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
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集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(zhǎng)周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢(xún)報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，預(yù)期第三季將成長(zhǎng)逾3%

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷，供過(guò)于求態(tài)勢(shì)延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(zhǎng)達(dá)19.9%，合計(jì)第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過(guò)于求態(tài)勢(shì)有望因此獲得改善。不過(guò)，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫(kù)存仍高的情
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NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升

近日，三星（Samsung）為應(yīng)對(duì)需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫(kù)存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)測(cè)，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì)早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大，銷(xiāo)售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營(yíng)運(yùn)而選擇擴(kuò)大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
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行業(yè)庫(kù)存情況如何？國(guó)內(nèi)一存儲(chǔ)廠商回應(yīng)

近日，存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫(kù)存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶(hù)的原廠庫(kù)存以及渠道庫(kù)存已經(jīng)幾近健康，設(shè)計(jì)原廠的庫(kù)存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來(lái)一段時(shí)間，各廠商依然會(huì)采取適當(dāng)?shù)慕祪r(jià)策略去化庫(kù)存。但隨著行業(yè)庫(kù)存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預(yù)計(jì)下半年會(huì)持續(xù)向好，價(jià)格也會(huì)逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢(shì)，公司將密切關(guān)注后續(xù)市場(chǎng)走勢(shì)。普冉股份強(qiáng)調(diào)，公司將積極地進(jìn)行戰(zhàn)略盤(pán)整，持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的迅速變化。面對(duì)激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，公司會(huì)充分發(fā)揮公司的
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使用NAND門(mén)的基本邏輯門(mén)

邏輯門(mén)主要有三種類(lèi)型，即 AND 門(mén)、OR 門(mén)和 NOT 門(mén)。每種邏輯門(mén)都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門(mén)的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達(dá)式。基本邏輯門(mén)的真值表：了解每個(gè)邏輯門(mén)的功能對(duì)熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門(mén)：這種邏輯門(mén)是數(shù)字邏輯電路中最簡(jiǎn)單的一種。該邏輯門(mén)只有兩個(gè)端子，一個(gè)用于輸入，另一個(gè)用于輸出。門(mén)的輸入是二進(jìn)制數(shù)，即只能是 1 或 0。邏輯門(mén)輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說(shuō)，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F(xiàn)的級(jí)數(shù)由 2a 計(jì)
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NAND 原廠過(guò)夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%

廠家期待觸底后的反彈早日到來(lái)。
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采用NAND和NOR門(mén)的SR觸發(fā)器

在本教程中，我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門(mén)的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)時(shí)應(yīng)用。電路簡(jiǎn)介我們迄今為止看到的電路，即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗(yàn)發(fā)生器和校驗(yàn)器等，都被稱(chēng)為組合邏輯電路。在這類(lèi)電路中，輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過(guò)去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當(dāng)輸入發(fā)生變化時(shí)，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類(lèi)電路，其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入，還取決
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三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，將在2024年升級(jí)其N(xiāo)AND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。?三星平澤P1工廠未來(lái)大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時(shí)，三星旗下設(shè)備解決方案部門(mén)的庫(kù)存已增至
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