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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
- 據(jù)海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
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英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)
- 經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。 去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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NAND快閃記憶體價格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。 市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產(chǎn)品銷售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產(chǎn)品在1個月內(nèi)漲幅超過2成。 市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
三星西安廠事故導致NAND價格爆沖22%
- 因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉(zhuǎn)趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價在1個月期間內(nèi)飆漲22%。 報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調(diào)查公司指出，2016年全球NA
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全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D NAND
2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢
- DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？
- 三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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