存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產業(yè)的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業(yè)的發(fā)展，存儲產業(yè)與信息安全等亦息息相關。
當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發(fā)，使得國產廠商對存儲需求量巨大。
相關數據顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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3D NAND DRAM
美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產品。
美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機總數的50%。
而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
NAND在今日儲存市場中占有一席之地，而為了延長NAND的使用壽命，近來有研究提出，透過機器學習(Machine Learning)的應用，可讓NAND的儲存容量、耐久性以及資料保存達到最佳化。
InformationWeek網站報導，近期數位資料儲存顧問機構Coughlin Associates于快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出，NAND因重覆讀寫而使儲存單元劣化、致使耐用度降低的情況，將可望因機器學習的應用而改善，使其生命周期延長。
一般來說
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NAND SSD
相對于舊式 HDD 硬盤的式微，NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲存市場的潮流風向。不論是在移動設備、個人電腦、或是數據中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經成為 NAND 閃存的最大市場，而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長最快的市場。因此，也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。
在NAND 閃存的市場部分，根據 TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示，中國市場消耗的 NAND 閃存越來越多，2017 年將占到全球市占率的 30% ，而到了 202
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NAND SSD
中國正在下大力度推進存儲產業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
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3D NAND 存儲器
在進展緩慢的儲存技術世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產品都有其足跡，最主要原因就是速度。據TechTarget報導，NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置，后來供應商發(fā)現只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術為基礎的儲存裝置也開始大受歡迎。
由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術，以及IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重
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NAND SSD
目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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美光 3D NAND
全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現其對中國快速成長的半導體產業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現已量產并且為中國唯一提供全方位技術及產品的商業(yè)光掩模廠。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動設備的 3D NAND 存儲技術，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產品。美光的首項移動 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場，這一細分市場大約占據全球智能手機總量的 50%[1]。隨著移動設備替代個人電腦成為消費者的主要計算設備，用戶行為對設備的移動內存和存儲要求產生了極大影響。美光的移動 3D NAND 解決了這些問題，實現了無與倫比的用戶體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動時間、更好的
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美光 NAND
近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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鎂光 NAND
中中國下決心做存儲器芯片，是個特別重大，而又十分艱難的決定，國存儲器業(yè)要取得成功，總體上產業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經過一段時間的實踐，有一定進展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉被動的局面。
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存儲器 NAND
據韓國經濟報導，大陸半導體產業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。
市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。
清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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三星 3D NAND
上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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三星 NAND
上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝 NAND
我們獲取和存儲數據的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來半導體行業(yè)出現并購潮的原因所在。
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半導體 NAND
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