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	nand-flash
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
　　3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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          • 關鍵字：
                        3D NAND  半導體                          
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          NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚
          
                                                            
            
                    	
          • 　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。
　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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          • 關鍵字：
                        NAND Flash                          
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          中國成為全球新建晶圓廠主要推手
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國。
　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。
　　

 
　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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          • 關鍵字：
                        晶圓  NAND                          
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          火災后瘋7供應商三星Flash廠部分復工
          
                                                            
            
                    	
          • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對供應緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復速度很快，給當?shù)毓╇娋趾腿菓碧幚睃c個贊。
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          • 關鍵字：
                        三星  Flash                          
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          三星否認擴產3D NAND？外資：三星明年3D產能將擴充至37.5%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。
　　barron`s.com16日報導，JP摩根發(fā)表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。
　　另外，三星也將善用Line
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          中國半導體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。
　　據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
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          • 關鍵字：
                        半導體  NAND                           
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          NAND需求好轉 將帶動DRAM市場趨于健康
          
                                                            
            
                    	
          • 　　蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。
　　創(chuàng)見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。
　　威剛董事長陳立白日
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          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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          從Nand特性談其燒錄關鍵點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　為什么燒錄Nand Flash經常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎?
　　

?
　　一、Nand flash的特性
　　1、位翻轉
　　在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著數(shù)據(jù)值。當讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個
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          • 關鍵字：
                        Nand  燒錄                          
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          中國存儲器“3+1”版圖初現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲器是一個嚴格按照摩爾定律前進、追求低成本的規(guī)模經濟產業(yè)，想做起來太難，在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國這次能否在存儲器市場占有一定規(guī)模呢？
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          • 關鍵字：
                        存儲器  NAND                          
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          2016年第一季NAND品牌營收排行榜
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個季衰退。
　　2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響，通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴大至13~18%。
　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
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          • 關鍵字：
                        NAND  英特爾                          
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          下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。
　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。
　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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          • 關鍵字：
                        NAND Flash                          
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          武漢新芯估2018年量產48層NAND
          
                                                            
            
                    	
          • 　　紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。
　　巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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          • 關鍵字：
                        新芯  NAND                          
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          DRAM和NAND技術助三星占據(jù)市場主導地位
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球大部分半導體產業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術優(yōu)勢可以擴大部分關鍵產品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。
　　全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導體產業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。
　　高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。
　　將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預測1-
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　中國大陸業(yè)者在NANDFlash產業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。
　　某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
　　

 
　　預估2012~2016年NANDFlash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產業(yè)。
　　拓墣
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          • 關鍵字：
                        Flash  晶圓                          
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          TrendForce：2020年中國大陸國內Flash月產能上看59萬片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
　　TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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                        Flash  NAND                           
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