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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌
- 受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過(guò)剩庫(kù)存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買(mǎi)氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶(hù)的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。
- 關(guān)鍵字： 閃存芯片 NAND
AT91SAM7Sxx系列MCU Boot-Loader的設(shè)計(jì)
- AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于ARM7內(nèi)核的32位MCU。用戶(hù)代碼編譯在Thumb 模式下可獲得16位指令寬度 ...
- 關(guān)鍵字： AT91SAM7Sxx VID Flash
基于TMS320DM642的Flash編程
- 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見(jiàn)的Flash編程方法,然后詳細(xì)介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個(gè)實(shí)現(xiàn)過(guò)程并分析了Flash編程時(shí)需要注意的一些問(wèn)題。 Flash編程方法 常見(jiàn)的Flash編程方式 Flash在正常使用
- 關(guān)鍵字： 編程 Flash TMS320DM642 基于
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來(lái)臨
- 隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲(chǔ)器 NAND
納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)
- 隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) NAND
LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
- 關(guān)鍵字： LSI NAND
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