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nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌，NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
關(guān)鍵字： NAND DRAM芯片

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM

本文以基于三個(gè)C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計(jì)技術(shù)。
關(guān)鍵字： C6201 C6701 FLASH DSP

基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

　　在一些軍用芯片的早期設(shè)計(jì)中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進(jìn)行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
關(guān)鍵字： AT25T1024 FLASH 高速SPI接口

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來臨

　　隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ)器 NAND

納米制程遇瓶頸業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)

　　隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。　
關(guān)鍵字：爾必達(dá) NAND

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
TI公司C6000系列DSP具有強(qiáng)大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度遠(yuǎn)大于片外存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運(yùn)行。由于C6000系列DSP均沒有
關(guān)鍵字：技術(shù) 研究加載 Flash 系列 DSP C6000

今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。　　今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長(zhǎng) 41.4%，達(dá) 123MB。　　
關(guān)鍵字： Sony NAND

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)

　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
關(guān)鍵字： LSI NAND

2011年NAND閃存密度將增長(zhǎng)40%以上

　　據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長(zhǎng)40%以上。　　
關(guān)鍵字：索尼 NAND

三星電子韓國(guó)新NAND廠預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)

　　三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營(yíng)。消息人士說，新廠編號(hào)為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。　　2010年5月時(shí)，三星在韓國(guó)京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
關(guān)鍵字：三星 NAND

東芝和SanDisk日本建第3個(gè)NAND半導(dǎo)體工廠

　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對(duì)閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
關(guān)鍵字：東芝 NAND

東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

　　東芝株式會(huì)社與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 NAND

三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，2011年第1季NAND Flash市場(chǎng)上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長(zhǎng)的行動(dòng)DRAM市場(chǎng)上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
關(guān)鍵字：三星 Flash

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

摘要基于Flash存儲(chǔ)器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測(cè)試結(jié)果表明，該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù)，能夠檢測(cè)出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤，對(duì)于1 bit錯(cuò)誤
關(guān)鍵字： Flash FPGA NAND ECC

支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng)

支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng),1 引言　　在實(shí)際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個(gè)與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個(gè)過程中.除了CPU以外，另一個(gè)重要的器件就是裝有啟動(dòng)程序的Flash器件?！　? 系統(tǒng)介紹　　采
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 計(jì)算機(jī) 單板 Flash 支持

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nand-flash介紹

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