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nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲，提高了整
關(guān)鍵字： FLASH NAND 大容量存儲

存儲器思謀發(fā)展

　　存儲器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲器稱Memory，外部設(shè)備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導(dǎo)體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進(jìn)，存儲器獲得了長足的發(fā)展。　　
關(guān)鍵字：存儲器 NAND 201105

Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場主流

　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預(yù)期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
關(guān)鍵字： NAND SSD

NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
關(guān)鍵字： FLASH NAND 儲存測試系統(tǒng)

三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對
關(guān)鍵字：三星電子 NAND

基于USB總線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

ICP是一種在實(shí)際的目標(biāo)電路板上燒寫和擦除芯片的方法，無需從目標(biāo)板上將芯片卸下來再編程實(shí)現(xiàn)用戶程序的修改。這種方法適用于產(chǎn)品開發(fā)和代碼升級。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
關(guān)鍵字：在線編程 Flash MC68HC908JB8 USB 總線基于

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND Flash

三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND 移動設(shè)備

TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
關(guān)鍵字：技術(shù) 在線 Flash 片內(nèi) TMS320F2812

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手機(jī)等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。　　
關(guān)鍵字：美光 NAND

4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。　
關(guān)鍵字：閃存 NAND

東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計(jì)劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。　
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計(jì)了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 分析系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND

東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?！?/li>
關(guān)鍵字：東芝 NAND

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nand-flash介紹

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nand-flash電路

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