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          存儲器行業(yè)的2018:冰與火之歌|盤點2018

          • 存儲器一直被看成是半導體行業(yè)的晴雨表,它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
          • 關鍵字: 存儲器  NAND  

          中天弘宇:攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

          • 閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術的快速演進,NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過,因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累,完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng)新,也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構,但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
          • 關鍵字: NOR  NAND  存儲器  

          半導體設備廠商競爭格局生變?

          •   半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化,但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉,排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?! ∽?990年以來,應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年,坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子,該公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化,也許更重要的是,領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?! ?016年,應用材料公司的市場份額比Lam
          • 關鍵字: ASML  NAND  

          突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構

          • 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會匯集了全球近百位來自產業(yè)界、學術界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時代下,企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值,變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產等話題展開深入探討。
          • 關鍵字: 數(shù)據(jù)  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

          AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

          •   全球DRAM市場上,三星一家獨大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?! ?  DRAM連漲之后持續(xù)下跌  在DRAM內存漲價超過9個季度之后,內存芯片價格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%,預計2019年還會繼續(xù)跌20%?! ∈艽擞绊?,全球第四大內存芯片廠商南亞科
          • 關鍵字: DRAM  NAND  

          存儲領域競爭加劇,3D NAND蝕刻逐步明朗化

          •   3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進步,厚度開始不斷降低,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因為工藝越先進,NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠商就需要采取額外手段彌補這一問題,這必然會提高成本,以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢?!   ?D NAND將思路從提高制造工藝轉
          • 關鍵字: 存儲  NAND  

          晉華事件透視:存儲器壟斷暴利之痛如何終結?

          • 壟斷加劇供求失衡,導致價格上漲,壟斷導致的暴利,是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問題。
          • 關鍵字: 存儲器  NAND  

          存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼,但漲價優(yōu)勢不再,Q4風光難續(xù)

          •   前言:2018年Q3出貨旺季,在存儲器Bit出貨量增加帶動下,存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而,存儲器漲價優(yōu)勢不再,Q4財報恐難抵下滑之勢?! 〈鎯ζ髟瓘SQ3財報搶眼,但NAND價格大跌超60%,引原廠產能“緊急制動”  2018年以來,F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨,且以256Gb和512Gb供貨為主,再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用,導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季,NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
          • 關鍵字: 存儲器  NAND  

          產業(yè)高點已過,2019年閃存價格恐跌40%

          •   CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿易戰(zhàn)壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇,各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長,也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系,第三季成長幅度來到20-25%,整體第三季閃存產值達到172億美元,季成長約為5%,值得注意的是,也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
          • 關鍵字: 閃存  3D-NAND  

          兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產品領域通力合作

          •   日前,業(yè)界領先的半導體供應商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產品可通過Digi-Key實現(xiàn)全球即時發(fā)貨,并在交貨周期及產品價格上更貼近客戶需求?! ≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產品容量目前涵蓋512Kb至512Mb,并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產品,以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達8Mb)。 NAND Flash產品包含SPI和
          • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  NAND   

          3D NAND技術發(fā)展迅速,SSD取代HDD硬盤明年可待

          •   NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價后,在2018年價格開始大幅下滑,據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù),截止到10月底,2018年NAND Flash綜合價格指數(shù)已累積下滑高達63%,其中主流SSD價格跌幅也高達約50%?! lash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇,使得SSD價格更加親民,據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket最新價格,消費類零售品牌SSD 240GB容量價格已下滑至31美金,480GB容量價格下探至58美金。低端白牌SSD產品的市場報價更是分別低至25美金(24
          • 關鍵字: NAND  HDD  

          賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

          •   全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼:CY)日前宣布,與海力士半導體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中,合資公司將生產及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產品,并將繼續(xù)投資于下一代NAND產品。合資公司總部設立在香港,海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?! ≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示:“合資公司將會長期為客戶提
          • 關鍵字: 海力士  NAND  

          存儲產業(yè)需求隨摩爾定律放緩,價格持續(xù)上漲

          • 存儲芯片市場在經(jīng)過長達一年半時間的猛漲后,部分內存芯片的價格突然下跌,加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報告,導致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
          • 關鍵字: 摩爾定律  NAND  

          國內廠商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓,有望實現(xiàn)“彎道超車”

          • 中國存儲器產業(yè)起步較晚,我國作為全球最重要的存儲器市場,在國家產業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下,通過自主研發(fā)關鍵技術與引入半導體巨頭,有望實現(xiàn)存儲器產業(yè)的“彎道超車”,在全球競爭中占有一席之地。
          • 關鍵字: DRAM  NAND  存儲器  

          2018年NAND Flash價格跌幅超過50%,背后原因為何!

          •   隨著智能型手機、平板、PC等消費類電子擴大普及,以及大數(shù)據(jù)、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G網(wǎng)絡、無人駕駛等熱潮的興起,數(shù)據(jù)存儲需求與日俱增。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù),預計2018年全球存儲市場規(guī)模將達到1500億美元?! ≡?月19日的中國閃存市場峰會(CFMS2018)上,央視記者采訪了存儲產業(yè)鏈內的知名企業(yè),比如:西部數(shù)據(jù)、長江存儲、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng)等,同時業(yè)內大咖也分享了對存儲產業(yè)發(fā)展的看法?! ⊙胍曍斀?jīng)頻道精彩回顧:原廠3D閃存芯片產出增加存儲容量
          • 關鍵字: NAND  長江存儲  
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          nand介紹

          一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

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