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東芝財(cái)報(bào)風(fēng)波長(zhǎng)期恐將損及NAND事業(yè)
- 東芝(Toshiba)財(cái)報(bào)不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤(rùn)最高的NAND快閃存儲(chǔ)器部門(mén)，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問(wèn)日本半導(dǎo)體界人士，卻表示長(zhǎng)期終將損害快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。 目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)品，由于移動(dòng)裝置需求持續(xù)成長(zhǎng)，銷(xiāo)售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項(xiàng)產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財(cái)務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。 現(xiàn)在東芝碰上財(cái)務(wù)問(wèn)題，對(duì)NAND快閃存儲(chǔ)器的投資必然受到影響，雖說(shuō)新社長(zhǎng)室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè)，對(duì)這個(gè)
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
FinFET/3D NAND前景亮 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
- 關(guān)鍵字： FinFET 3D NAND
美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡
- 內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì)議(Analyst Conference)，會(huì)中宣布 2016 會(huì)計(jì)年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢(qián)拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對(duì)內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。 美光財(cái)務(wù)長(zhǎng) Ernie Maddock 在會(huì)中公布 2016 會(huì)計(jì)年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會(huì)計(jì)年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)
- TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)
- TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆艿秸w經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾
全球新式存儲(chǔ)器大戰(zhàn) 臺(tái)控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過(guò)，相關(guān)消息仍待慧榮正式對(duì)外宣布。 存儲(chǔ)器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營(yíng)對(duì)于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測(cè)可能是一種稱(chēng)為可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的新
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開(kāi)始對(duì)客戶(hù)出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢(shì)所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
全SSD儲(chǔ)存時(shí)代正式來(lái)臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢(shì)
- 幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動(dòng)的特性，前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲(chǔ)存市場(chǎng)，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過(guò)，當(dāng)時(shí)SSD與HDD每GB的價(jià)格，換算下來(lái)仍有一段不小的價(jià)差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問(wèn)世，SSD在價(jià)格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢(shì)特色，SSD不只在PC市場(chǎng)快速普及，下一步更將前進(jìn)資料中心、數(shù)位看板、POS機(jī)等商用市場(chǎng)。 SanDisk：SSD全面進(jìn)占資料中心 當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢(shì)，也成為了一種必
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
走進(jìn)三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營(yíng)系統(tǒng)
- 陜西西安的三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹(shù)成蔭，人工湖內(nèi)魚(yú)兒游來(lái)游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級(jí)NAND 閃存芯片(V-NAND)。 對(duì)三星半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，引導(dǎo)社會(huì)未來(lái)發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品，同時(shí)也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營(yíng)系統(tǒng)(G-EHS)。 形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈 三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達(dá)的電子產(chǎn)業(yè)基地。 西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！
- 過(guò)去的一年半以來(lái)，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售1x奈米等級(jí)的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開(kāi)放市場(chǎng)上所銷(xiāo)售元件的供應(yīng)來(lái)源，美光(Micron)是從2014年2月開(kāi)始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后，TechInsights實(shí)驗(yàn)室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對(duì)平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
東芝、宜鼎搶進(jìn)NAND Flash儲(chǔ)存陣列商機(jī)
- 宜鼎和東芝成立臺(tái)灣首家進(jìn)軍快閃存儲(chǔ)器陣列的供應(yīng)商，分食云端儲(chǔ)存商機(jī)。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國(guó)際臺(tái)美日聯(lián)手炒熱云端儲(chǔ)存商機(jī)，三大廠力拱的快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國(guó)際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲(chǔ)存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列與企業(yè)應(yīng)用解決方案”研討會(huì)，邀請(qǐng)中華電信董事長(zhǎng)蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
蘋(píng)果要用？三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴(kuò)產(chǎn) 50%
- 南韓媒體中央日?qǐng)?bào)日文版 19 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長(zhǎng)，故三星電子(Samsung)計(jì)劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國(guó)西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增 50%。報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬(wàn)片，而三星計(jì)劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬(wàn)片)至 6-7 萬(wàn)片。 據(jù) 報(bào)導(dǎo)，三星于去年 5 月開(kāi)始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商，且三星計(jì)劃
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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