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運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)
- 今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲(chǔ)器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲(chǔ)設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲(chǔ)器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過(guò)渡將帶來(lái)一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對(duì)新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對(duì)厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級(jí)層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對(duì)于制造多層堆疊存儲(chǔ)單元來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。此外，隨著越來(lái)越多支持圖案
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開(kāi)始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國(guó)半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。 TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，在營(yíng)運(yùn)上中國(guó)國(guó)產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷(xiāo)售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤(pán)解決方案以便直接切入市場(chǎng)應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶(hù)群多以企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、政府機(jī)關(guān)與國(guó)防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開(kāi)發(fā)則傾力下個(gè)世代
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慧榮科技攜嵌入式存儲(chǔ)和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì)
- 在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國(guó)紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會(huì)，在1號(hào)廳160號(hào)展臺(tái)向業(yè)界展示其針對(duì)汽車(chē)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲(chǔ)及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺(tái)將展出如下產(chǎn)品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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存儲(chǔ)器接連刷新歷史最高紀(jì)錄，768Gbit 3D NAND亮相
- 在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國(guó)舊金山舉行)會(huì)議上，NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化，以及DRAM的高帶寬化等存儲(chǔ)器 技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲(chǔ)器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車(chē)載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容 豐富?！ 〈鎯?chǔ)器會(huì)議共有3個(gè)。分別以非易失存儲(chǔ)器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì)議共有14項(xiàng)發(fā)表。其中有12項(xiàng)來(lái)自亞洲，日本有2項(xiàng)(內(nèi)容均為非易失存儲(chǔ)器)。下面來(lái)介紹
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 NAND
Toshiba準(zhǔn)備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- 根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢?cái)經(jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日?qǐng)?bào)導(dǎo)，大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過(guò)假帳丑聞、付出高昂組織重整代價(jià)的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。 未來(lái)東芝將專(zhuān)注并強(qiáng)化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營(yíng)，該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長(zhǎng)支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。 將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類(lèi)
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手機(jī)標(biāo)稱(chēng)16G內(nèi)存，為何實(shí)際卻少于16G
- 摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說(shuō)手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿(mǎn)足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下： 我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際存儲(chǔ)容量卻總是小于這些值呢?難道
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慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品
- 慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強(qiáng)的控制器解決方案將有助加快推進(jìn)最具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能SSD產(chǎn)品在市場(chǎng)上的應(yīng)用。此次2016年拉斯維加斯消費(fèi)電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級(jí)版SM2246EN
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 3D NAND
韓廠進(jìn)入14納米平面NAND時(shí)代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)
- 韓國(guó)兩大存儲(chǔ)器廠前進(jìn)14納米平面NAND Flash時(shí)代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn)，而SK海力士(SK Hynix)則預(yù)定在新的一年結(jié)束研發(fā)作業(yè)，并導(dǎo)入量產(chǎn)體制。 韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成，將于2016年上半投產(chǎn)。三星預(yù)定于新年1月31日在美國(guó)舊金山所舉辦的ISSCC上，公開(kāi)14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士，也進(jìn)入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將
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中國(guó)下個(gè)購(gòu)并標(biāo)的：NAND Flash控制芯片
- 中國(guó)政府近來(lái)積極透過(guò)中資集團(tuán)陸續(xù)收購(gòu)或入資海外半導(dǎo)體公司，期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?，F(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì)MIC認(rèn)為，中資集團(tuán)下一波購(gòu)并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會(huì)MIC產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼主任洪春暉表示，中國(guó)近期積極透過(guò)購(gòu)并，來(lái)改善半導(dǎo)體自制比例過(guò)低的情形，現(xiàn)今中國(guó)在本土邏輯IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、邏輯IC封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 芯片
美光科技業(yè)務(wù)狀況有望在2016年好轉(zhuǎn)
- 個(gè)人電腦(PC)需求放緩嚴(yán)重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過(guò)60%的收入來(lái)自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過(guò)去一年里，美光科技股價(jià)跌去了60%。利潤(rùn)和收入大幅下滑。利潤(rùn)率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財(cái)季業(yè)績(jī)料將凸顯出艱難的經(jīng)營(yíng)環(huán)境。 不過(guò)從歷史角度看，美光科技股價(jià)一直波動(dòng)較大，周期性驅(qū)動(dòng)的電腦芯片業(yè)務(wù)推動(dòng)其股價(jià)起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱(chēng)，過(guò)去一年里，美光科技的客戶(hù)一直在消化內(nèi)存庫(kù)存，預(yù)計(jì)這一
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
東芝擬分拆NAND存儲(chǔ)器事業(yè)部 其他部門(mén)或裁員
- 昨(18)日消息，被東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門(mén)新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來(lái)，并考慮讓其上市、籌措研發(fā)所需的巨額資金;另外，大分、巖手兩縣的工廠將藉由替其他廠商代工、來(lái)強(qiáng)化收益能力。 報(bào)導(dǎo)指出，東芝將在12 月21日公布以電視、PC 以及家電等事業(yè)為中心的合理化措施，可能將裁撤數(shù)千名員工，而半導(dǎo)體事業(yè)和核能、醫(yī)療用機(jī)器部門(mén)皆被東芝定位為核心事業(yè)，故東芝正急
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
TrendForce：經(jīng)濟(jì)前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限
- 全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明，各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守，TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(zhǎng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(zhǎng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會(huì)加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(zhǎng)率將大幅增長(zhǎng)50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Fl
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TLC
掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時(shí)是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯(cuò)誤位元，因此在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，須搭配使用控制器，透過(guò)硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理，以及利用錯(cuò)誤更正編碼(ECC)演算法修正錯(cuò)誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲(chǔ)存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速，平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來(lái)降低成本，在售價(jià)大幅下降情況下，愈來(lái)愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢(shì)，取代原本使用的NOR型快閃記
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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