nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價格跌幅的沖擊。
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國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺廠合作大門
- 存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
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NAND Flash價格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價格連續(xù)兩個月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場進(jìn)入淡季，加上庫存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
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無線應(yīng)用成2015半導(dǎo)體市場最大增長動力
- 2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入預(yù)計將達(dá)3580億美元，較2014年增長5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長預(yù)期。 半導(dǎo)體市場的增長動力包括智能手機(jī)專用標(biāo)準(zhǔn)電路ASSP，以及超移動PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價方式，而整個行業(yè)需要消耗假期的過多庫存，因此2015年的半導(dǎo)體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩。”業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，“由于供應(yīng)短缺，DRAM價格在2014年基本保持堅挺，使之成為2014年增速最
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群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場。 群聯(lián)昨股價上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長潘健成。 本報系資料庫 分享 上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
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半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報，營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上，可說是最大功臣。 據(jù)韓媒ChosunBiz報導(dǎo)，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報，業(yè)績終于跌回升，營收為52兆韓元，營業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門第4季貢獻(xiàn)營業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
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Gartner：蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果，2014年全球半導(dǎo)體總營收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營收增長率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年營收也因而增長31.
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場上維持獨(dú)大地位，計劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。 據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向
- 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個強(qiáng)大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個完美的選擇。 作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營運(yùn)
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動
- NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術(shù)勢在必行。 從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。 RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
- 關(guān)鍵字： NAND 三星 閃迪
DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預(yù)料;去年下半
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士 NAND Flash
東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠，會是中國嗎
- 據(jù)國外媒體報道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區(qū)。 東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。 田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區(qū)時，他補(bǔ)充說
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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