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半導(dǎo)體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工
- 日本媒體報導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%
- ? 市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。 集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營運沒有受到影響，現(xiàn)貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 不過還是有個變通方法
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 TLC NAND
大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計與實現(xiàn)
- 1 引 言 隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機、數(shù)字攝像機、移動電話、mp3音樂播放器等移動設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用 ...
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH ARM 嵌入式系統(tǒng)
東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能
- 訊 7月24日消息，據(jù)路透社報道，東芝公司周二稱，將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能。這凸顯了芯片市場供應(yīng)狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價也因而出現(xiàn)下挫。 東芝表示，由于U盤和存儲卡的芯片供過于求，它將削減其在日本西部的四日市工廠的產(chǎn)能。 資產(chǎn)管理公司Religare Global Asset Management高級科技分析師大衛(wèi)·莫托佐·魯本斯藤(David Motozo Rubenstein)說道，“他們的產(chǎn)能下調(diào)幅度讓我有點意外。大家都知道該類芯片的
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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