nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強(qiáng)勁
- 據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，低端平板電腦市場(chǎng)相對(duì)強(qiáng)健，幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn)，提升了全年?duì)I業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。 2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長17%，這是當(dāng)年表現(xiàn)最好的一個(gè)季度，如圖3所示。在最后一個(gè)季度的強(qiáng)力推動(dòng)下，2012年全年NAND營業(yè)收入達(dá)到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔(dān)憂的水平。 圖3：2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)估(以百
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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利
- 根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示，日本前三大半導(dǎo)體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤已經(jīng)提高。 其中，東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元)，達(dá)到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個(gè)季度增長。 瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達(dá)到1739億日元。然而，在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營虧
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DRAM看漲 類股營運(yùn)走俏
- 由于韓國三星半導(dǎo)體將七成存儲(chǔ)器供自家手機(jī)、平板及電視使用下，加上大陸白牌平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動(dòng)，存儲(chǔ)器近期報(bào)價(jià)緩步上揚(yáng)，DDR32Gb均價(jià)每顆站上1.74美元，站上二年多來新高，相關(guān)DRAM族群營運(yùn)看俏。 ? 此外，NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期，今年7、8月，NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境，擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。 市場(chǎng)得知，三星將把七成行動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后，市場(chǎng)備貨潮5月中旬再度啟動(dòng)，讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)再度揚(yáng)升，站上
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英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧
- 英特爾公司今天宣布，該公司董事會(huì)已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官，以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱，卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會(huì)召開之際開始履職。 ? 卡扎尼奇自2012年1月以來一直擔(dān)任英特爾首席運(yùn)營官，此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時(shí)，歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。 卡扎尼奇現(xiàn)年52歲，自在1982年加盟英特爾以來，就一直擔(dān)任該公司
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64GB NAND閃存芯片需求保持強(qiáng)勁
- 根據(jù)行業(yè)觀察家表示，受智能手機(jī)和平板電腦強(qiáng)勁需求推動(dòng)，64GB NAND閃存市場(chǎng)一直在增長，高密度芯片價(jià)格高居不下，反映當(dāng)前供不應(yīng)求市場(chǎng)狀況。 智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)對(duì)NAND芯片需求旺盛，也對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)上的芯片供應(yīng)帶來了負(fù)面的影響，即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應(yīng)系統(tǒng)制造商表示，許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。 供應(yīng)緊張狀況，鼓勵(lì)芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單，比如為智能手機(jī)提供容量高達(dá)64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。 有消息表示，目
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產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳，共話閃存與移動(dòng)技術(shù)的世紀(jì)交鋒
- 2013年，隨著智能機(jī)平板市場(chǎng)繼續(xù)走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲(chǔ)器件缺貨嚴(yán)重，存儲(chǔ)器件的供應(yīng)在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢(shì)態(tài)嗎?2013年智能機(jī)平板電腦超極本平臺(tái)廠商發(fā)力重點(diǎn)在哪里?如何實(shí)現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過第二屆NAND Flash應(yīng)用高峰論壇，本土存儲(chǔ)器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，共同應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)挑戰(zhàn)，推進(jìn)智能機(jī)平板創(chuàng)新。
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IHS：2012年Q4全球NAND營收大幅成長17%
- 根據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報(bào)告，全球 NAND 快閃記憶體市場(chǎng)在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營收成長──大幅上揚(yáng)17%，達(dá)到了56.34億美元的營收，結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營收平均下滑6%的記錄。 2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達(dá)到了202.11億美元。其中，三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應(yīng)商，兩家公司總共就占掉 NAND 市場(chǎng)三分之二的市占率。此外，美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應(yīng)商。 三星在2012年第四季的
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NAND閃存去年第四季度意外增長
- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)簡報(bào)，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。 2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來看，這種環(huán)比增長具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢(shì)，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。 三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元，
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2013半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)溫和增長
- 2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預(yù)計(jì)2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入增長6.4%，達(dá)到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后，預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將溫和增長，智能終端、電視與計(jì)算等關(guān)鍵消費(fèi)電子產(chǎn)品成為推動(dòng)芯片營業(yè)收入與需求增長的主要?jiǎng)恿Α? 智能終端 2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入的下降，緣于消費(fèi)者在電子產(chǎn)品上面的支出不振，尤其是電腦采購將近占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產(chǎn)品的采購量低迷。令
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半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"
- 全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟(jì)條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國經(jīng)濟(jì)成長逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。 雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個(gè)月增長，但依然不足以抵銷市場(chǎng)分析員對(duì)國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。 考慮到在全球經(jīng)濟(jì)不明朗，對(duì)電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下，市場(chǎng)分析員依然謹(jǐn)慎看待我國今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何，在預(yù)計(jì)下半年經(jīng)濟(jì)大環(huán)境獲得改善的情況下，國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢(shì)上演反
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鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存
- 閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。 TLC閃存每單元存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù)，它更高的密度的代價(jià)是相對(duì)較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術(shù)。 不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會(huì)用于可移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)，例如SD和USB閃存驅(qū)動(dòng)
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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告，雖然蘋果公司對(duì)閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級(jí)本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲(chǔ)器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達(dá)到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。 具體可參見下表。 ? “閃 存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅堋Ｔ?012年，蘋果iPhone是NAND的
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
nand電路
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