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          全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。
　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
　　集邦科技指出，三星電子
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND                          
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          Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND
          
                                                            
            
                    	
          • 　　外電報導，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預期Hynix Q4
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          • 關鍵字：
                        Hynix  NAND                          
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          蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。
　　Sacconaghi 報告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
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          • 關鍵字：
                        蘋果  NAND                          
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          東芝、爾必達再談整合
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
　　近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。

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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補，后續(xù)技術發(fā)展的重點也轉移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術，待3D-IC以及TSV的技術成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術領域最完整之晶圓廠。
　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產(chǎn)品，希望明年標準
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          • 關鍵字：
                        力晶  NAND                          
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          回補庫存下滑 NAND Flash合約價格持續(xù)走低
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調(diào)查，因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。
　　展望NAND Flash后市，集邦科技認為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題，因此，預
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          • 關鍵字：
                        NAND  SSD                          
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          9月上旬NAND Flash合約價出現(xiàn)穩(wěn)定格局
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。 
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          • 關鍵字：
                        集邦科  NAND  記憶卡                          
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          ultrabook帶來新契機 NAND Flash需求9月或回溫
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場預期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應新產(chǎn)品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
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          • 關鍵字：
                        ultrabook  NAND                          
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          第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。
　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。 
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          • 關鍵字：
                        IHS iSuppli  NAND                          
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          第二季度NAND閃存銷售額下降4.3% 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。
　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。
　
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          出貨不如預期 閃存芯片價格小幅下跌
          
                                                            
            
                    	
          • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。
　
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          • 關鍵字：
                        閃存芯片  NAND                          
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          下一代光刻技術延遲 NAND成長或趨緩
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估。
　
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          • 關鍵字：
                        SanDisk  NAND                          
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          東芝芯片業(yè)務業(yè)績可能達不到預期
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因，該公司芯片業(yè)務的利潤可能達不到預期。
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          • 關鍵字：
                        東芝  芯片  NAND                          
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          NAND Flash合約價續(xù)跌 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國電子新聞報導，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
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          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM芯片                          
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          存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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          • 關鍵字：
                        三星  存儲器  NAND                          
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          nand介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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       	          						Nand/Nor   
										Nand-Flash   
										V-NAND   
										NANDFlash   
										樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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