- 存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動,2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關,NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場,面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當下,金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀川表示,認同孫大衛(wèi)認為臺灣 DRAM產業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計畫性地將各方力量做結合,才能讓臺灣DRAM廠免受全球經濟、市場波動沖擊?!?/li>
- 關鍵字:
NAND DRAM
- 由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強勁,導致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。
今年5月的NAND芯片價格的降幅已經超過15%,現貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家,但需求提升不像往年的第二季度那么強勁?! ?/li>
- 關鍵字:
ipad NAND
- 第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報價大跌超過10%,內存模塊廠表示,合計整個5月現貨報價跌幅達20%,合約價合計跌幅也超過15%,反映終端需求確實需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認同威剛董事長陳立白的基調,預期第3季仍會比第2季好一些,但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
- 關鍵字:
三星 NAND Flash
- 全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現砍單情況,記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫,市場五窮六絕跡象顯現,使得記憶體模組廠營收恐再次探底,部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過,以毛利率角度來看,由于NANDFlash價格并沒有出現急跌,因此,模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準之上。
- 關鍵字:
NAND DRAM
- 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術,它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
關鍵詞:DDR NAN
- 關鍵字:
嵌入式 接口 設計 高性能 閃存 DDR NAND 基于
- 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質,大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過使用并行處理技術和流水線技術實現了多片低速FLASH時高速數據的存儲,提高了整
- 關鍵字:
FLASH NAND 大容量 存儲
- 存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件,用于保存數據和程序,傳統(tǒng)上計算機的主存儲器稱Memory,外部設備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀50年代中期,主存曾用磁芯存儲器,60年代中期以來,半導體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進,存儲器獲得了長足的發(fā)展。
- 關鍵字:
存儲器 NAND 201105
- 數年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠,但相比大容量的硬盤而言,這種產品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈,例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數據硬盤的價格。盡管如此,Gartner依然對SSD市場的前景十分看好,并認為到2012年下半年,固態(tài)硬盤將成為市場的主流,并預期到時候的價格將會下降到每1美元1GB,這意味著主流的SSD價格將下調到100美元以下,例如64GB64美元,從而開始被大眾接受。
- 關鍵字:
NAND SSD
- 0 引言 計算機技術的高速發(fā)展,存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間,到現在的T8;乃至不久的將來要達到的PB存儲空間,其數據存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數據生命周期管
- 關鍵字:
FLASH NAND 儲存 測試系統(tǒng)
- 5月13日消息,據國外媒體報道,全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱,它已經開始大批量生產新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。
- 關鍵字:
三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭,市占率高達36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達35.1%,兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據市調機構TrendForce最新統(tǒng)計,2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%,營收成長9.9%,達53.63億美元。
2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多,最大影響當屬日本311東北強震,對
- 關鍵字:
三星電子 NAND
- 據了解,由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
- 關鍵字:
三星 NAND Flash
- 由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
- 關鍵字:
三星 NAND 移動設備
- 由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長,加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%,美光(Micron)看好NANDFlash產業(yè)將持續(xù)供不應求,除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能,未來不排除再擴大NAND Flash產能,可行方案包括釋出代工權給華亞科生產,或是啟動新加坡二廠。美光指出,未來NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低。
- 關鍵字:
美光 NAND
- 據韓國媒體報道,內存調研公司集邦科技發(fā)布最新研究數據,今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平,一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關供應鏈后芯片價格的總體情況。
- 關鍵字:
閃存 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473