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nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)
- 隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) NAND
LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
- 關(guān)鍵字： LSI NAND
蘋(píng)果三星風(fēng)波引發(fā)四大半導(dǎo)體廠商主演四角戀大戲
- 最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會(huì)上，三星與蘋(píng)果之間的知識(shí)產(chǎn)權(quán)爭(zhēng)端事件顯然會(huì)是一個(gè)有趣的話題。目前，三星正準(zhǔn)備于8月份開(kāi)始量產(chǎn)蘋(píng)果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對(duì)奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級(jí)，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過(guò)三星顯然希望能夠在保住蘋(píng)果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
Mobile RAM防線恐失守
- 行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過(guò)于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 存儲(chǔ)器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度
- 南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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