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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nch mosfet

          在單個封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案

          • 源設(shè)計(jì)者如今面臨兩個主要問題:消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導(dǎo)致傳輸設(shè)備過熱,并帶來后續(xù)必須解決的干擾難題;這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線路上的負(fù)載不是純電阻性的,輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移,從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負(fù)載使輸入電流波形失真,則會引起電流諧波,從而進(jìn)一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問題,需要了解功率變換的基本原理。電源當(dāng)中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路,整流管將交流電壓
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

          • 目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組,它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations,包含內(nèi)部集成PowiGaN?開關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計(jì)效率高達(dá)95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          如何選擇合適的電路保護(hù)

          • 問題:有什么有源電路保護(hù)方案可以取代TVS二極管和保險(xiǎn)絲?答案:可以試試?yán)擞恳种破?。摘要所有行業(yè)的制造商都在不斷推動提升高端性能,同時試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達(dá)成平衡。設(shè)計(jì)人員面臨著平衡設(shè)計(jì)復(fù)雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個電子保護(hù)子系統(tǒng)為例,受其特性限制,無法進(jìn)行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護(hù)敏感且成本高昂的下游電子器件(FPGA、ASIC和微處理器),這些器件都要求保證零故障。許多傳統(tǒng)的可靠保護(hù)解決方案(例如二極管、保險(xiǎn)絲和TVS器件)能夠保持待保護(hù)狀態(tài),但它們通常低效、體積龐大且需要維護(hù)。為
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑

          • 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn),可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢,引領(lǐng)和加速了汽車電動化進(jìn)程,對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段,汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新,為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  新能源汽車  功率半導(dǎo)體  202110  MOSFET  SiC  

          東芝支持功能安全的車載無刷電機(jī)預(yù)驅(qū)IC的樣品出貨即將開始

          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,已開始供應(yīng)“TB9083FTG”的測試樣品,這是一種面向汽車應(yīng)用的預(yù)驅(qū)IC(其中包括電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)和電氣制動器使用的無刷電機(jī))。東芝將在2022年1月提供最終樣品,并將在2022年12月開始量產(chǎn)。TB9083FTG是一種3相預(yù)驅(qū)IC,能夠控制和驅(qū)動用于驅(qū)動3相直流無刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。該產(chǎn)品支持ASIL-D[1]功能安全規(guī)范[2]且符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)第二版的要求,適用于高安全級別的汽車系統(tǒng)。這種新型IC內(nèi)置三通道預(yù)驅(qū),用于控制和
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器被《21IC中國電子網(wǎng)》評為2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎獲獎產(chǎn)品。這款穩(wěn)壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝,以其高達(dá)40 A的額定輸出電流,優(yōu)于前代穩(wěn)壓器的功率密度和瞬變響應(yīng)能力受到表彰。Top 10電源產(chǎn)品獎已連續(xù)舉辦十九屆,成為業(yè)內(nèi)創(chuàng)新電源產(chǎn)品的標(biāo)志性獎項(xiàng)。獲獎產(chǎn)品由工程師投票,經(jīng)21IC編委會綜合技術(shù)創(chuàng)新、能效、應(yīng)用開
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          雙脈沖測試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用

          • 編者按雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動電路,優(yōu)化動態(tài)過程,驗(yàn)證短路保護(hù)。雙脈沖測試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用,對電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。為什么要進(jìn)行雙脈沖測試?在以前甚至是今天,許多使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實(shí)驗(yàn)的,而是直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計(jì)的功率。這樣的測試確實(shí)很必要,但是往往這樣看不出具體的開關(guān)損耗,電壓或者電流的尖峰情況,以及
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調(diào)光LED照明降壓方案

          • 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準(zhǔn)諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應(yīng)用是LED照明系統(tǒng)、模擬/PWM可調(diào)光LED驅(qū)動器,模擬調(diào)光范圍寬,從1%到100%。安森美專有的LED電流計(jì)算技術(shù)和內(nèi)部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移,在整個模擬調(diào)光范圍內(nèi)進(jìn)行精確的穩(wěn)流,穩(wěn)流精度在滿載時<±2%,在1%的負(fù)載時<±20%。卓越的調(diào)光特性可根據(jù)負(fù)載情況在CCM (N
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關(guān)損耗

          • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標(biāo),基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步擴(kuò)充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合,Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動器,為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護(hù),以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)輸并滿足嚴(yán)格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器,可降低50%開關(guān)損耗對于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來說,Microchip的Agi
          • 關(guān)鍵字: Microchip  碳化硅  MOSFET  

          雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者

          • 0? ?引言數(shù)字開關(guān)通常使用MOSFET 來創(chuàng)建,但是對于低飽和電壓的開關(guān)模型,雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應(yīng)用,它們不僅可以提供出色的電流放大效果,還具有成本優(yōu)勢(圖1)。圖1 雙極結(jié)型晶體管可為移動設(shè)備提供更長的使用壽命 圖源:IB Photography/Shutterstock在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,晶體管需要精確地放大基極電流,使輸出電壓接近零,以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項(xiàng)用途,因?yàn)樗鼈儾恍枰魏蔚讓涌刂破髯鳛殡妷嚎刂平M件。
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  202109  

          使用無刷直流電機(jī)加速設(shè)計(jì)周期的3種方法

          • 全球都在致力降低功耗,且勢頭愈來愈烈。許多國家/地區(qū)都要求家用電器(如圖 1 所示)滿足相關(guān)組織(如中國標(biāo)準(zhǔn)化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍(lán)天使)制定的效率標(biāo)準(zhǔn)。為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn),越來越多的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)中放棄了簡單且易用的單相交流感應(yīng)電機(jī),轉(zhuǎn)而采用更節(jié)能的低壓無刷直流 (BLDC) 電機(jī)。為了實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命和更低的運(yùn)行噪音,掃地機(jī)器人等小型家電的設(shè)計(jì)人員也轉(zhuǎn)而在他們的許多系統(tǒng)中使用更先進(jìn)的 BLDC 電機(jī)。同時,永磁技術(shù)的進(jìn)步正不斷簡化 BLDC 電機(jī)的制造,在提供相同扭矩(負(fù)載)的
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  BLDC  

          面向工業(yè)環(huán)境的大功率無線電力傳輸技術(shù)

          • 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術(shù)在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的日益普及,工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關(guān)注焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移至這項(xiàng)技術(shù)及其固有優(yōu)勢。在如 WLAN 和藍(lán)牙(Bluetooth)等各項(xiàng)無線技術(shù)的推動下,通信接口日益向無線化發(fā)展,無線電力傳輸技術(shù)也成為一種相應(yīng)的選擇。采用一些全新的方案,不僅能帶來明顯的技術(shù)優(yōu)勢,還能為新的工業(yè)設(shè)計(jì)開辟更多可能性。這項(xiàng)技術(shù)提供了許多新的概念,特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴(yán)重污染和高機(jī)械應(yīng)力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域,例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機(jī)械等。比如,它可以替代昂貴且易損
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

          • 開篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實(shí)驗(yàn),僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示,基于雙脈沖的思路,搭建雙管并
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

          • 高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作,經(jīng)過大量失效主板分析確認(rèn)是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析,對IGBT失效原因及失效機(jī)理分析,分析結(jié)果表明:經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?,IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
          • 關(guān)鍵字: 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應(yīng)  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

          羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應(yīng)用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  
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