- 以前曾經有一個設計實例介紹了用動圈模擬表頭測量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻 1）。
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MOSFET 測量 電流 表頭 改進
- 為PoE應用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET MOSFET集成在一個功率MLP封裝內，可滿足以太網供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網絡和通信基礎設施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準，例如以太網交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節(jié)省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3
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IR MOSFET 解決方案
- 一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。
與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術在發(fā)展方向上正經歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
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MOSFET 模擬IC 電源
- 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數和外圍電路聯系起來，得出較大的Q值和適當的Ls/Lx有利于并聯均流。大量的仿真和小功率實驗結果均表明該方法的正確性。
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研究 問題 MOSFET 功率
- 設計人員都用直流電子負載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內使用，就可制作出自己的直流電子負載（圖 1）。
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作用 功率 MOSFET 核心 負載 穩(wěn)壓 電子 直流
- 2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無線電設備及類似設備中的傳輸功率放大，通過使用新工藝和新封裝，實現了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
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瑞薩 MOSFET Renesas
- 摘 要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應用，其脈沖波形隨設計線路的不同而產生不同的結果，從而解決了隨機燒毀功率管的技術問題。關鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中，有時隨機出現燒毀大功率管的現象，本文對這一現象給出了解決方案。圖1 SG35
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MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
- 2004年6月7日，瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產品相比，HAT1125H的導通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導通電阻最低的工業(yè)標準SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產品。由于其損耗很低，將有助于設計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
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瑞薩 MOSFET Renesas
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