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了解熱阻在系統層級的影響
- 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施，以避免發(fā)生過熱關機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
- 關鍵字： MOSFET
碳化硅邁入新時代 ST 25年研發(fā)突破技術挑戰(zhàn)
- 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統、服務器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導體行業(yè)如何克服技術
- 關鍵字： MOSFET
Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數量減半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅動設計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動器為每相集成了低邊檢流放大器，構成完備的電機驅動方案；與同類產品相比元件數量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
- 關鍵字： MOSFET
簡易直流電子負載的設計與實現*
- 隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，傳統負載測試電源性能的方法在高科技產品的生產中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統負載測試方法存在功耗較大、效率與調節(jié)精度低、體積大等問題，設計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發(fā)生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現了在一定電壓與電流范圍內恒壓恒流任意可調，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設定值
- 關鍵字： STC12C5A60S2單片機 恒流恒壓 IRF3205 負載調整率 202105 MOSFET
瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會
- 近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規(guī)模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內的領先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時，強調了瑞能半導體未來
- 關鍵字： MOSFET
基本半導體——第三代半導體前景無限
- 相比于數字半導體，我國在模擬與功率半導體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產品設計的問題，還涉及到材料等多個技術環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領域之一。作為國內第三代半導體領軍企業(yè)，基本半導體技術營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化，核心產品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導體碳化硅功率器件產品性能處于國內領先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應用領域，市場潛力大，也是基本半導體要重點發(fā)力的市場。站在劉誠的角
- 關鍵字： 基本半導體 MOSFET 中國芯
原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續(xù)漲價
- 相比去年，已有多款MOSFET產品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內得不到解決，有業(yè)內人士認為下半年該產品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續(xù)大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區(qū)新冠肺炎疫情延燒，導致產能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產品的價格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調MOSFET價格。相比去年，
- 關鍵字： MOSFET
使用IC采樣保持放大器
- 采樣保持(S/H)功能是數據采集和模數轉換過程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數應用中，S/H用作數據采集系統中模數轉換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執(zhí)行模數轉換所需的時間段內，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數據轉換系統必須具備的系統功能模塊，所用的模數轉換器在進行轉換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數轉換器就是
- 關鍵字： MOSFET
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