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          同步降壓MOSFET電阻比的選擇

          • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常,作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    

          恩智浦提供汽車(chē)認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

          • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專(zhuān)為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),具有一流的性能和可靠性;同時(shí),與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比,節(jié)省了77%的占位面積。
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  

          意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

          • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿(mǎn)足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率和能效的要求,瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等綠色能源應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: 意法  晶體管  MOSFET  LED  

          如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET

          • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù),但為了選擇出合適的MOSFET,工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如,對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類(lèi)應(yīng)用,由于MOSFET基本上
          • 關(guān)鍵字: MOSFET    

          估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)易方法

          • 本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線(xiàn)時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線(xiàn)電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  熱插拔  方法    

          功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

          • 本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)。  數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  數(shù)據(jù)表  分析    

          飛兆半擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列

          • 提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問(wèn)題。此外,這些開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性?xún)r(jià)比的電源解決方案,以便最大限度地減小線(xiàn)路板空間,同時(shí)提高效率和降低功耗。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  

          空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

          IR推出優(yōu)化版車(chē)用功率MOSFET產(chǎn)品

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車(chē)用功率MOSFET,適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  

          詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

          • 汽車(chē)上許多組建的多元應(yīng)用,從車(chē)上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá),不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案,也兼具了注重安全性汽車(chē)所必須的通訊和診斷能力。因此,設(shè)計(jì)人員為了增加車(chē)上電子
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  詳細(xì)介紹  如何運(yùn)用  安全系統(tǒng)    

          MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

          • 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型:



            Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
            Cgd:是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊,第二是
            耗盡區(qū)電容
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  功耗計(jì)算    

          提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測(cè)同步MOSFET控制方案

          • 標(biāo)簽:電源 諧振轉(zhuǎn)換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來(lái)越多,設(shè)備功能的高功耗對(duì)環(huán)境的影響也越來(lái)越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率,很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
          • 關(guān)鍵字: 同步  MOSFET  控制  方案  檢測(cè)  電壓  電源  轉(zhuǎn)換  效率  定時(shí)  

          功率器件的新時(shí)代汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)

          • 過(guò)去15到20年間,汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話(huà)題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷?chē)電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象,且其封裝簡(jiǎn)單,主要采用TO220 和 TO247
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  功率器件  汽車(chē)電子    

          MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡(jiǎn)介

          • 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后,MOSFET快速的發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  雙峰效  方法    
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          nch mosfet介紹

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