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Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。 這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
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MOSFET控制器有助提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。
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Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作
- Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。 這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對(duì)采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案
- 英飛凌汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案主要由5個(gè)MOSFET、2個(gè)高電壓驅(qū)動(dòng)器、1個(gè)PFC控制器和1個(gè)HID燈鎮(zhèn)流...
- 關(guān)鍵字： HID燈鎮(zhèn)流器 MOSFET 高電壓驅(qū)動(dòng)器
UCC27321高速驅(qū)動(dòng)MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)
- UCC27321高速驅(qū)動(dòng)MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì),1 引言
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321 - 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 設(shè)計(jì) 芯片 MOSFET 高速 驅(qū)動(dòng) UCC27321
智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計(jì)方案
- 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。 UCD
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)字控制電源 設(shè)計(jì)方案
飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護(hù)設(shè)計(jì)解決方案
- 便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)人員通常在設(shè)計(jì)的每個(gè)階段都會(huì)面對(duì)減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中，這是一個(gè)特別重要的問題。
- 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體 MOSFET FDMB2307NZ
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