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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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          理解功率 MOSFET 的電流
          
                                                            
            
                    	
          • 通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設(shè)計過程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
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          • 關(guān)鍵字：
                        電流  MOSFET  功率  理解                          
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          國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC
          
                                                            
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應(yīng)用。
　　AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個獨立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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          • 關(guān)鍵字：
                        國際整流器公司  MOSFET  柵極驅(qū)動IC                          
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          集成高壓MOSFET可實現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        集成高壓  MOSFET  PFC  控制器芯片                          
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          新型MOSFET滿足高速開關(guān)等三大關(guān)鍵性能
          
                                                            
            
                    	
          • 現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個領(lǐng)域都注重環(huán)保理念，需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開發(fā)。 ...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  高速開關(guān)                          
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          Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄
          
                                                            
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。

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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET  Si8802DB                          
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          估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升—第1部分
          
                                                            
            
                    	
          • 在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  瞬態(tài)溫升                          
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          Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。
　　

?
　　與前一代S系列器件相比，新的
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay Siliconix  MOSFET                          
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          滿足開關(guān)電源要求的功率MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設(shè)計中采用...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        開關(guān)電源  MOSFET                          
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          Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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          只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅(qū)動器
          
                                                            
            
                    	
          • 閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時，會改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來保持狀態(tài)...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  繼電器  驅(qū)動器                          
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          基于TLE6210和L9349設(shè)計的ABS驅(qū)動電路
          
                                                            
            
                    	
          • ABS作為如今汽車上必備的安全電子設(shè)備，其功能越來越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過電磁閥和回油泵來完成對...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        驅(qū)動電路  ABSTLE6210  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 由分立器件組成的驅(qū)動電路((如圖所示)，驅(qū)動電路工作原理如下：　　A.當(dāng)HS為高電平時，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        電路設(shè)計  驅(qū)動  MOSFET  常見                          
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          安森美半導(dǎo)體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案
          
                                                            
            
                    	
          • Sept. 21, 2011 – 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設(shè)計而擴充其產(chǎn)品系列。 
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  半導(dǎo)體  MOSFET                          
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          Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC
          
                                                            
            
                    	
          • 美國加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設(shè)計靈活性，既可提升效率（最高效率可超過97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達(dá)750 kHz）來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET  HiperLCS器件                          
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          電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當(dāng)今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
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          • 關(guān)鍵字：
                        電路  設(shè)計  驅(qū)動  MOSFET  自行車  控制器  電動                          
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