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如何為具體應用恰當?shù)倪x擇MOSFET
- 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
- 關鍵字： MOSFET
深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
- 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計。 數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
- 關鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表
瑞薩電子高壓MOS在進行產(chǎn)品開發(fā)時的注意要點
- 本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產(chǎn)品開發(fā)提供參考性的設計意見。 MOSFET以其電壓控制、開關頻率高、開關速度快等優(yōu)點，廣泛應用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應用十分廣泛。 MOSFET最重要的兩個參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察，因為它們只有
- 關鍵字： Renesas MOSFET
PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產(chǎn)品系列
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時簡化系統(tǒng)設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。 歐洲
- 關鍵字： PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
- 關鍵字： Vishay Siliconix MOSFET
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