nch mosfet 文章 進(jìn)入nch mosfet技術(shù)社區(qū)
Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝
- 為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。 Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí)，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET Dual Cool
Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。 40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例
- saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例,設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
- 關(guān)鍵字： 實(shí)例 仿真 驅(qū)動(dòng) MOSFET saber
Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 最低導(dǎo)通電阻
設(shè)計(jì)高效高可靠LED燈具的五個(gè)忠告
- 進(jìn)入2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因?yàn)橐粋€(gè)巨大的市場(chǎng)就要開啟，而這次唱主角的是中國廠商。不過，應(yīng)當(dāng)看到，LED燈具要普及，不但需要大幅度降低成本，更需要解決能效和可靠性的難題，如何解決這些難題，Power Integrations市場(chǎng)營銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
- 關(guān)鍵字： PI MOSFET LED
DC/DC 控制器驅(qū)動(dòng)5V 邏輯電平 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)高效率
- 近日（2010年11月2日）凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
- 關(guān)鍵字： MOSFET
IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)推出一系列25V及3...
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級(jí)版本的工作溫度范
- 關(guān)鍵字： Linear MOSFET
利用低門限電壓延長電池壽命
- 降低能量消耗、延長電池壽命，這是每個(gè)工程師在設(shè)計(jì)便攜式電子產(chǎn)品時(shí)努力的目標(biāo)。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢，所以便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者把延長電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來，從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設(shè)計(jì)者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù)，但還遠(yuǎn)不能滿
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
nch mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nch mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)nch mosfet的理解，并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)nch mosfet的理解，并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nch mosfet相關(guān)帖子
nch mosfet資料下載
nch mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473