nexperia 文章 進(jìn)入nexperia技術(shù)社區(qū)
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用CCP
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開關(guān)
Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機(jī) SiC MOSFET
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
- 關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應(yīng)用 650 V 碳化硅 整流二極管
能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
- 隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動，光伏，UPS，儲能，汽車 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動的各個領(lǐng)域。讓我們先來走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
- 關(guān)鍵字： Nexperia IGBT
Nexperia超低結(jié)電容ESD保護(hù)二極管保護(hù)汽車數(shù)據(jù)接口
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布擴(kuò)展其超低電容ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品組合。該系列器件旨在保護(hù)汽車信息娛樂應(yīng)用的USB、HDMI、高速視頻鏈路和以太網(wǎng)等接口的高速數(shù)據(jù)線路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封裝，可在汽車生產(chǎn)線中通過側(cè)邊爬錫進(jìn)行光學(xué)檢測。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q還提供緊湊
- 關(guān)鍵字： Nexperia 超低結(jié)電容 ESD保護(hù)二極管 汽車數(shù)據(jù)接口
Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率負(fù)載開關(guān)
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)中的負(fù)載開關(guān)，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計算、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節(jié)省大量電路板空間。此外，無引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
- 關(guān)鍵字： Nexperia 500mA RET 高功率 負(fù)載開關(guān)
Nexperia設(shè)定2035年碳中和目標(biāo)
- Nexperia總部位于荷蘭，是一家擁有60多年歷史且發(fā)展迅速的全球性半導(dǎo)體企業(yè)。公司年產(chǎn)量超過1000億件，Nexperia深知自身對保護(hù)環(huán)境應(yīng)承擔(dān)的社會責(zé)任。今年五月，Nexperia發(fā)布了其首份可持續(xù)發(fā)展報告，其中針對公司的環(huán)境影響、社會責(zé)任、增長目標(biāo)以及其作為國際行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的重要角色進(jìn)行了評估。今天，Nexperia自豪地宣布其實(shí)現(xiàn)碳中和的預(yù)期目標(biāo)，同時秉持公開透明的原則，并采取問責(zé)制度。Nexperia致力于到2035年在其直接運(yùn)營排放（范圍1）和為運(yùn)營采購能源而產(chǎn)生的間接排放（范圍2）方面實(shí)現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 碳中和
Nexperia B.V.在Morningstar Sustainalytics的ESG風(fēng)險評級中達(dá)到18.7分，打下堅實(shí)基礎(chǔ)
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG風(fēng)險評級中取得了18.7分的優(yōu)異成績，達(dá)到了新的重要里程碑。這是Nexperia首次參與ESG風(fēng)險評級，在全球半導(dǎo)體設(shè)計和制造子行業(yè)的221家評估實(shí)體中排名前11%，這一優(yōu)異表現(xiàn)也使其順利躋身于知名企業(yè)前列。 Morningstar Sustainalytics對Nexperia在環(huán)境、社會和治理(ESG)方面的表現(xiàn)進(jìn)行綜合評估，認(rèn)為Nexperia遭
- 關(guān)鍵字： Nexperia ESG 風(fēng)險評級
Nexperia擴(kuò)展產(chǎn)品組合，率先推出集成式5 V負(fù)載開關(guān)
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合。NPS4053是本次產(chǎn)品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優(yōu)異的系統(tǒng)保護(hù)性能，可幫助提高系統(tǒng)可靠性，保障系統(tǒng)安全。該器件經(jīng)過優(yōu)化升級，適合應(yīng)用于便攜式設(shè)備（如筆記本電腦）、臺式電腦、擴(kuò)展塢和車載信息娛樂系統(tǒng)。 負(fù)載開關(guān)是各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)正常工作必不可少的器件。這些開關(guān)在以受控方式管理從電源到負(fù)載的電流/電壓方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
- 關(guān)鍵字： Nexperia 負(fù)載開關(guān)
IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
- 絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導(dǎo)體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600
- 關(guān)鍵字： Nexperia IGBTs
Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強(qiáng)器
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款I(lǐng)C采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術(shù)，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設(shè)計的新型電池壽命增強(qiáng)器，相比于同類解決方案，可將該類電池壽命延長10倍，與未使用電池增強(qiáng)器的典型紐扣電池相比，使用該增強(qiáng)器還可將電池的峰值輸出電流能力提高至25倍。大幅延長工作壽命意味著低功率物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和其他便攜式應(yīng)用中的廢舊電池數(shù)量將顯著減少，同時，過去只能由AA-或AAA-電池提供動力的應(yīng)用也有望改用紐扣電池。 &
- 關(guān)鍵字： Nexperia 紐扣電池 功率增強(qiáng)器
Nexperia擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。 長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨，2023年5月11日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導(dǎo)體工程師的設(shè)計支持標(biāo)準(zhǔn)。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點(diǎn)如何動態(tài)響應(yīng)這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
- 關(guān)鍵字： Nexperia 交互式數(shù)據(jù)手冊 MOSFET
Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
nexperia介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nexperia!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nexperia的理解，并與今后在此搜索nexperia的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nexperia的理解，并與今后在此搜索nexperia的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nexperia相關(guān)帖子
nexperia資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473