nexperia 文章進(jìn)入nexperia技術(shù)社區(qū)

Nexperia針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識(shí)，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級(jí)聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對(duì)此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用CCP
關(guān)鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)
關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)

Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機(jī) SiC MOSFET

Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國(guó)際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(zhǎng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。制造商對(duì)下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應(yīng)用 650 V 碳化硅整流二極管

能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來(lái)，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，光伏，UPS，儲(chǔ)能，汽車(chē) 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢(shì)，廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
關(guān)鍵字： Nexperia IGBT

Nexperia超低結(jié)電容ESD保護(hù)二極管保護(hù)汽車(chē)數(shù)據(jù)接口

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布擴(kuò)展其超低電容ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品組合。該系列器件旨在保護(hù)汽車(chē)信息娛樂(lè)應(yīng)用的USB、HDMI、高速視頻鏈路和以太網(wǎng)等接口的高速數(shù)據(jù)線路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封裝，可在汽車(chē)生產(chǎn)線中通過(guò)側(cè)邊爬錫進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q還提供緊湊
關(guān)鍵字： Nexperia 超低結(jié)電容 ESD保護(hù)二極管汽車(chē)數(shù)據(jù)接口

Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過(guò)將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節(jié)省大量電路板空間。此外，無(wú)引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
關(guān)鍵字： Nexperia 500mA RET 高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)

Nexperia設(shè)定2035年碳中和目標(biāo)

Nexperia總部位于荷蘭，是一家擁有60多年歷史且發(fā)展迅速的全球性半導(dǎo)體企業(yè)。公司年產(chǎn)量超過(guò)1000億件，Nexperia深知自身對(duì)保護(hù)環(huán)境應(yīng)承擔(dān)的社會(huì)責(zé)任。今年五月，Nexperia發(fā)布了其首份可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，其中針對(duì)公司的環(huán)境影響、社會(huì)責(zé)任、增長(zhǎng)目標(biāo)以及其作為國(guó)際行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的重要角色進(jìn)行了評(píng)估。今天，Nexperia自豪地宣布其實(shí)現(xiàn)碳中和的預(yù)期目標(biāo)，同時(shí)秉持公開(kāi)透明的原則，并采取問(wèn)責(zé)制度。Nexperia致力于到2035年在其直接運(yùn)營(yíng)排放（范圍1）和為運(yùn)營(yíng)采購(gòu)能源而產(chǎn)生的間接排放（范圍2）方面實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字： Nexperia 碳中和

Nexperia B.V.在Morningstar Sustainalytics的ESG風(fēng)險(xiǎn)評(píng)級(jí)中達(dá)到18.7分，打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG風(fēng)險(xiǎn)評(píng)級(jí)中取得了18.7分的優(yōu)異成績(jī)，達(dá)到了新的重要里程碑。這是Nexperia首次參與ESG風(fēng)險(xiǎn)評(píng)級(jí)，在全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造子行業(yè)的221家評(píng)估實(shí)體中排名前11%，這一優(yōu)異表現(xiàn)也使其順利躋身于知名企業(yè)前列。 Morningstar Sustainalytics對(duì)Nexperia在環(huán)境、社會(huì)和治理(ESG)方面的表現(xiàn)進(jìn)行綜合評(píng)估，認(rèn)為Nexperia遭
關(guān)鍵字： Nexperia ESG 風(fēng)險(xiǎn)評(píng)級(jí)

Nexperia擴(kuò)展產(chǎn)品組合，率先推出集成式5 V負(fù)載開(kāi)關(guān)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合。NPS4053是本次產(chǎn)品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優(yōu)異的系統(tǒng)保護(hù)性能，可幫助提高系統(tǒng)可靠性，保障系統(tǒng)安全。該器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化升級(jí)，適合應(yīng)用于便攜式設(shè)備（如筆記本電腦）、臺(tái)式電腦、擴(kuò)展塢和車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)。負(fù)載開(kāi)關(guān)是各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)正常工作必不可少的器件。這些開(kāi)關(guān)在以受控方式管理從電源到負(fù)載的電流/電壓方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
關(guān)鍵字： Nexperia 負(fù)載開(kāi)關(guān)

IGBTs給高功率帶來(lái)了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車(chē)充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及，市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求，并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導(dǎo)體）正在推出多個(gè) IGBT系列，首先便是600
關(guān)鍵字： Nexperia IGBTs

Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強(qiáng)器

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款I(lǐng)C采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術(shù)，是專為延長(zhǎng)不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設(shè)計(jì)的新型電池壽命增強(qiáng)器，相比于同類解決方案，可將該類電池壽命延長(zhǎng)10倍，與未使用電池增強(qiáng)器的典型紐扣電池相比，使用該增強(qiáng)器還可將電池的峰值輸出電流能力提高至25倍。大幅延長(zhǎng)工作壽命意味著低功率物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和其他便攜式應(yīng)用中的廢舊電池?cái)?shù)量將顯著減少，同時(shí)，過(guò)去只能由AA-或AAA-電池提供動(dòng)力的應(yīng)用也有望改用紐扣電池。 &
關(guān)鍵字： Nexperia 紐扣電池功率增強(qiáng)器

Nexperia擴(kuò)充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開(kāi)關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。長(zhǎng)期以來(lái)，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開(kāi)關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET

Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

奈梅亨，2023年5月11日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，大幅提升了對(duì)半導(dǎo)體工程師的設(shè)計(jì)支持標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)操作數(shù)據(jù)手冊(cè)中的交互式滑塊，用戶可以手動(dòng)調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應(yīng)這些變化。這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)使用Nexperia的高級(jí)電熱模型計(jì)算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
關(guān)鍵字： Nexperia 交互式數(shù)據(jù)手冊(cè) MOSFET

Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET