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Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
- 奈梅亨，2021年2月9日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發(fā)方面的全球投資。 新投資與公司的發(fā)展戰(zhàn)略相吻合。去年，Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣（18.5億美元）在上海臨港新建一座300mm（12英寸）功率半導體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運營，預(yù)計年產(chǎn)40萬片晶圓。 Nexperia今年的計劃包括提高生產(chǎn)效率，并在其位于德國漢堡和英國曼徹斯特的歐洲晶圓廠試試全新的200mm技術(shù)。漢堡晶圓廠還會增加對寬帶隙半導體制造新技術(shù)的
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Nexperia首推用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車板網(wǎng)（如輕度混合動力和EV汽車）和其他更高電壓的電路，這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無法處理。 通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個晶體管和兩
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關(guān)注動力系統(tǒng)應(yīng)用。該技術(shù)已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡化設(shè)計。 在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結(jié)構(gòu)進行構(gòu)建。第四個選擇是重復雪崩設(shè)計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關(guān)
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Nexperia推出符合AEC-Q101標準的無引腳CAN-FD保護二極管，具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應(yīng)用的新款無引腳ESD保護器件。器件采用無引腳封裝，帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標準，同時提供行業(yè)領(lǐng)先的ESD和RF性能，節(jié)省了PCB空間。 Nexperia通過有引腳和無引腳封裝為CAN-FD總線提供硅基ESD保護。帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統(tǒng)SOT23和SOT323封裝少
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Nexperia首次亮相第三屆中國國際進口博覽會
- 奈梅亨，2020年10月29日：半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia將首次亮相于2020年11月5日至10日在上海舉辦的第三屆中國國際進口博覽會并將全方位介紹Nexperia如何運用邏輯IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等創(chuàng)新器件推動全球各類電子設(shè)計的發(fā)展。 Nexperia憑借多元化、高產(chǎn)能的產(chǎn)品組合和行業(yè)領(lǐng)先的小封裝技術(shù)引領(lǐng)全球市場。Nexperia生產(chǎn)約15,000種產(chǎn)品，每年新增800余種新產(chǎn)品。作為未來創(chuàng)新技術(shù)的推動者，Nexperia展臺位于本屆中國國際進口博覽會
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Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia響應(yīng)行業(yè)需求，通過定義一組全新的MOSFET產(chǎn)品，最大限度提高性能。特定型應(yīng)用FET（簡稱ASFET）所采用的MOSFET能為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)。通過專注于特定的應(yīng)用，可實現(xiàn)顯著的改進。 Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。 定制ASFET可實現(xiàn)的改進因應(yīng)用而異，例如對于熱插拔應(yīng)用，安全工作區(qū)域(SOA)能提高3至5倍；對于電機應(yīng)用，最大額定電流可超過300 A。 Nexpe
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Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動器
- 2020年10月12日消息，半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布新推出一系列LED驅(qū)動器，采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝，能有效節(jié)省空間。LED驅(qū)動器帶可焊性側(cè)面(SWF)，可促進實現(xiàn)AOI（自動光學檢測）并提高可靠性。這是LED驅(qū)動器首次采用這種有益封裝。新量產(chǎn)的無引腳的產(chǎn)品加入已經(jīng)量產(chǎn)的帶引腳的產(chǎn)品提供更廣的產(chǎn)品組合，新產(chǎn)品與SOT223相比，在具備同等性能的情況下，將PCB空間減少了90%。新推出的DFN2020D-6 LED驅(qū)動器采用NPN和PNP技術(shù)，
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Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出全新產(chǎn)品PCMFxHDMI2BA-C，這款集成了ESD保護功能的共模濾波器具有超過10 GHz差分帶寬。它適用于高達12Gbps 的最新HDMI 2.1標準，能夠輕松通過眼圖測試。 Nexperia高速保護和濾波產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider說：“HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，這需要更優(yōu)秀的抗干擾保護，尤其是在緊湊的無線應(yīng)用中，這些2合1的ESD和濾波組合器件的性能和小尺寸非常適合對性能和空間有要求
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Nexperia全新車用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護器件，這些器件通過了AEC-Q101認證，適用于車規(guī)級應(yīng)用，并且可承受高達175°C的高溫。同時，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩(wěn)健性，適用于新的車載接口。具體的車載應(yīng)用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂、多媒體與ADAS系統(tǒng)。 Nexperia的TrEOS ESD保護技術(shù)利用有源可控硅整流來克服傳統(tǒng)保護
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Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩(wěn)定性，節(jié)省空間
- ?奈梅亨，2020年5月27日：半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復二極管的熱穩(wěn)定性。?新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器市場為目標市場，尤其適合高溫應(yīng)用，例如，LED照明、發(fā)動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區(qū)域，在不超過175 °C的條件下不會發(fā)生熱失控。同時，工程師也可以使用適用于高溫設(shè)
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NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應(yīng)用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求
- 關(guān)鍵字： Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用，包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
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Nexperia推出首款支持USB4標準的ESD保護器件
- 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內(nèi)首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的ESD保護器件，具有行業(yè)領(lǐng)先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計工程師將會特別感興趣。該器件可實現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓撲。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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