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Nexperia推出全新電平轉(zhuǎn)換器以支持傳統(tǒng)和未來(lái)的手機(jī)SIM卡

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其電平轉(zhuǎn)換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實(shí)現(xiàn)下一代低壓手機(jī)基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無(wú)縫連接。隨著處理器的幾何尺寸向個(gè)位數(shù)納米節(jié)點(diǎn)發(fā)展，先進(jìn)SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢(shì)導(dǎo)致對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標(biāo)準(zhǔn)處理設(shè)備和I/O端口（如傳統(tǒng)的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是雙電源轉(zhuǎn)換器，支持主機(jī)處理器側(cè)1.08 V至1
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Nexperia的USB4 ESD二極管件實(shí)現(xiàn)了保護(hù)和性能的出色平衡

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護(hù)二極管件，適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時(shí)器和信號(hào)中繼器。PESD2V8Y1BSF專(zhuān)為保護(hù)USB4 (Thunderbolt)接口而設(shè)計(jì)，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù)，集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢(shì)于一身。重定時(shí)器和信號(hào)中繼器是設(shè)計(jì)高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會(huì)意外地降低整體系統(tǒng)
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車(chē)規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布與國(guó)際著名的為汽車(chē)行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車(chē)規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長(zhǎng)期保持著緊密的聯(lián)系，此次進(jìn)一步合作的目標(biāo)是共同開(kāi)發(fā)GaN功率器件在電動(dòng)汽車(chē)(EV)上的應(yīng)用。隨著客運(yùn)車(chē)輛日益電氣化，市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高，需要在越來(lái)越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿
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Nexperia推出全新汽車(chē)級(jí)CFP2-HP二極管,進(jìn)一步擴(kuò)展銅夾片粘合FlatPower封裝二極管產(chǎn)品范圍

基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布推出適用于電力應(yīng)用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標(biāo)準(zhǔn)版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項(xiàng)），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對(duì)要求超快速恢復(fù)的應(yīng)用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現(xiàn)代汽車(chē)架構(gòu)中，
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Nexperia推出全新汽車(chē)級(jí)CFP2-HP二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出適用于電力應(yīng)用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標(biāo)準(zhǔn)版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項(xiàng)），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對(duì)要求超快速恢復(fù)的應(yīng)用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現(xiàn)
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Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應(yīng)用于LFPAK33封裝。ASFET是專(zhuān)門(mén)為用于某一應(yīng)用而設(shè)計(jì)并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)技術(shù)
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Nexperia公布2021年?duì)I收數(shù)據(jù)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日公布2021年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，數(shù)據(jù)顯示公司在所有領(lǐng)域均實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。這家半導(dǎo)體制造公司專(zhuān)門(mén)供應(yīng)分立器件、功率器件和邏輯IC，2021年總營(yíng)收同比增長(zhǎng)49%，達(dá)到21.4億美元。這意味著Nexperia的業(yè)績(jī)表現(xiàn)優(yōu)于整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)，公司市場(chǎng)份額得以提高1%，達(dá)到9.4%。過(guò)去五年，Nexperia的制造能力不斷提升，目前已經(jīng)處于行業(yè)前沿，完全符合汽車(chē)行業(yè)的最高標(biāo)準(zhǔn)，且能提供全面的產(chǎn)品組合。Nexperia首席財(cái)務(wù)官Stefan Tilger表示：“我們公司自
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Nexperia繼續(xù)擴(kuò)充采用小型DFN封裝、配有側(cè)邊可濕焊盤(pán)的分立器件產(chǎn)品

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無(wú)引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤(pán) (SWF)。這些器件堅(jiān)固耐用，節(jié)省空間，有助于滿足下一代智能電動(dòng)汽車(chē)的應(yīng)用需求。Nexperia的所有產(chǎn)品系列都符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，包括： · 采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三極管。· &nbs
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Nexperia正式啟動(dòng)全新達(dá)拉斯設(shè)計(jì)中心

Nexperia近日宣布，其位于德州達(dá)拉斯的全新設(shè)計(jì)中心正式啟動(dòng)。值此成為獨(dú)立實(shí)體五周年之際，這一舉措標(biāo)志Nexperia朝著2030年成為全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的既定目標(biāo)又邁出了重要的一步。達(dá)拉斯設(shè)計(jì)中心是Nexperia在北美地區(qū)設(shè)立的第一家研發(fā)機(jī)構(gòu)，專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換和電源管理IC。新研發(fā)中心由Nexperia電源和信號(hào)轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理Irene Deng領(lǐng)導(dǎo)，她表示：“達(dá)拉斯設(shè)計(jì)中心代表了公司的一個(gè)關(guān)鍵里程碑，一方面是因?yàn)樗w現(xiàn)了Nexperia在北美推進(jìn)研究工作的決心，另一方面它還將助力N
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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在原型設(shè)計(jì)前對(duì)電熱及EMC性能進(jìn)行評(píng)估。模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，工程師此
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Nexperia迎來(lái)獨(dú)立公司成立五周年慶典，未來(lái)將繼續(xù)大展宏圖

Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨(dú)立實(shí)體進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個(gè)較為年輕的品牌，但憑借過(guò)去幾十年在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域樹(shù)立的良好口碑和強(qiáng)勁表現(xiàn)，經(jīng)過(guò)五個(gè)春秋的不懈努力，已經(jīng)在市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟。回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿懷激情和專(zhuān)業(yè)精深的精神積極打造創(chuàng)新產(chǎn)品，既滿足了客戶需求，也實(shí)現(xiàn)了與客戶的共同成長(zhǎng)。五年來(lái)，Nexperia展現(xiàn)了種種前瞻性理念和業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)，推出引領(lǐng)市場(chǎng)的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)業(yè)界先進(jìn)水平的產(chǎn)能開(kāi)發(fā)，可在持續(xù)滿足嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
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Nexperia50μA齊納二極管可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，節(jié)省PCB空間

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項(xiàng)，采用超小型分立式扁平無(wú)引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，為客戶提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測(cè)試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動(dòng)、可穿戴、汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的低偏置電流和便攜式電池供電設(shè)備。 Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側(cè)側(cè)邊可濕錫
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Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準(zhǔn)電壓

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個(gè)系列不僅可以滿足日漸增長(zhǎng)的移動(dòng)便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用，提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對(duì)于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia表面貼裝器件通過(guò)汽車(chē)應(yīng)用的板級(jí)可靠性要求

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過(guò)領(lǐng)先的一級(jí)供應(yīng)商針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用的板級(jí)可靠性 (BLR)測(cè)試。該封裝將首先應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元。 BLR是一種評(píng)估半導(dǎo)體封裝堅(jiān)固性和可靠性的方法。測(cè)試遵循極為嚴(yán)格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車(chē)應(yīng)用中具有重要的指導(dǎo)意義。隨著汽車(chē)行業(yè)向電動(dòng)和車(chē)聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)型，車(chē)載電子系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜，因此該認(rèn)證至關(guān)重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產(chǎn)品經(jīng)理Guido S?h
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