nor flash 文章 進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)
關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom
- FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
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NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
- 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)
- 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場消長 在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器
全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場消長 在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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nor flash介紹
NOR Flash存儲(chǔ)器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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