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一種矢量信號發(fā)生器設(shè)計與實現(xiàn)
- 摘要:充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點,以FPGA為邏輯時序控制器,設(shè)計并實現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例,詳細介紹了矢量信號發(fā)生器的設(shè)計方案與實現(xiàn)過程,使用Verilog HDL描述并實現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時序控制和FPGA的邏輯控制。
- 關(guān)鍵字: DDR2 SDRAM FLASH 201205
FLASH在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應用
- NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲器,具有ROM存儲器的特點,存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持1 ...
- 關(guān)鍵字: K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH
基于DSP的外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關(guān)鍵字: DSP Flash 存儲器 在線編程 軟硬件設(shè)計
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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