nor flash 文章 進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)
美光在上海加大研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“中國設(shè)計(jì)”
- 2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級(jí)總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國的前景，因?yàn)橹袊笆濉庇?jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！ ∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€(gè)設(shè)計(jì)中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì)，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室，旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
- 關(guān)鍵字： NOR 智慧城市 節(jié)能環(huán)保 閃存
FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證
- 隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
- 關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動(dòng) FPGA
高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存
- 不久前，Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口?！ ×硗?，Spansion還推出了首個(gè)基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件，其讀取吞吐量可達(dá)333MB/s，比當(dāng)今市場上可見速度最快的四SPI的5倍還快，引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3?！ ?jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 關(guān)鍵字： HyperBus NOR GUI ADAS 201402
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
基于SPI FLASH的FPGA多重配置
- 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析，給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟，對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
- 關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)
- 12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國芯’頒獎(jiǎng)典禮”。會(huì)議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長兼總裁王繼增先生。 據(jù)了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項(xiàng)目，是國家認(rèn)定的首批重點(diǎn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術(shù)水平生產(chǎn)12英寸存
- 關(guān)鍵字： 新芯 NOR 存儲(chǔ)半導(dǎo)體
AVR的主要特性
- AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
- 關(guān)鍵字： AVR單片機(jī) ATMEL Flash
缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開發(fā)方法
- 對(duì)FLASH存貯器單片機(jī)，不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手： 一、盡量使用高級(jí)語言開 ...
- 關(guān)鍵字： 仿真器時(shí) avr單片機(jī) FLASH
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NOR Flash存儲(chǔ)器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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