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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nor flash

          嵌入式系統(tǒng)中Nand Flash寫平衡的研究

          • 隨著嵌入式技術(shù)在電子信息等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對數(shù)據(jù)存儲設(shè)備容量和性能的要求也日益提高。Nand Flash在這一領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛,由于Nand Flash在寫操作之前需要擦除整塊且使用壽命有限,因此,如何更有效的管理好
          • 關(guān)鍵字: 平衡  研究  Flash  Nand  系統(tǒng)  嵌入式  

          “BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”側(cè)記

          • 2012年,隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā),有一種半導(dǎo)體器件會受到產(chǎn)業(yè)的萬眾矚目----這就是Nand Flash,Gartner預(yù)估今年NAND Flash市場增長18%! 年初以來,NAND Flash大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計劃,各大廠工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm,三星西安建廠發(fā)力10nm Nand Flash!可以說,一場圍繞Nand Flash應(yīng)用的存儲大變革正在進(jìn)行,Nand Flash應(yīng)用變革給本土業(yè)者帶來哪些機(jī)遇?智能手機(jī)、平板電腦供應(yīng)商如何看待
          • 關(guān)鍵字: BIWIN  Nand Flash  

          基于Flash存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計

          • 摘要:針對Flash存儲器的特點,設(shè)計了一種適合開源實時操作的嵌入式文件系統(tǒng)。該系統(tǒng)設(shè)計依據(jù)日志文件系...
          • 關(guān)鍵字: Flash  存儲器  嵌入式  文件系統(tǒng)  

          NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

          • 什么是SLC?SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫入數(shù)據(jù)時通過對浮置閘極的電荷加電壓,
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  MLC  SLC    

          FPGA中SPI Flash存儲器的復(fù)用編程方法的實現(xiàn)

          • SPI(Serial Peripheral Interface,串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線,在芯片的引腳上只占 ...
          • 關(guān)鍵字: FPGA  SPI  Flash  存儲器  復(fù)用編程  

          存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機(jī)遇?

          • 縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史,一種新興技術(shù)的出現(xiàn),影響的不只是個別公司的興衰,更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型,新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器,也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源,當(dāng)年的光盤存儲技術(shù)興起,就帶動了中國整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè),現(xiàn)在,我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會聊做分析。
          • 關(guān)鍵字: 泰勝微  存儲  NAND FLASH   

          串行FLASH存儲器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析

          • LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點,已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
          • 關(guān)鍵字: 顯示系統(tǒng)  應(yīng)用系統(tǒng)  分析  LED  小型  FLASH  存儲器  串行  

          VxWorks從Flash BOOT的實現(xiàn)方法

          •   引言  美國WindRiver公司的實時嵌入式系統(tǒng)VxWorks和美國Motorola 公司MPC860系列處理器已經(jīng)廣泛的應(yīng) ...
          • 關(guān)鍵字: VxWorks  Flash  BOOT  

          利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

          • 利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
            嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高,開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù),以延長系統(tǒng)的使用周期,
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  遠(yuǎn)程  更新  嵌入式  實現(xiàn)  NAND  Flash  利用  

          Flash單片機(jī)自編程技術(shù)介紹

          • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此,只有一個片上Flash存儲器模塊
          • 關(guān)鍵字: 介紹  技術(shù)  編程  單片機(jī)  Flash  

          基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案

          • 基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案,摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法,并完成了設(shè)計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級,MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展,因此往往需要對最初的設(shè)計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
          • 關(guān)鍵字: 仿真器  設(shè)計  方案  在線  Flash  MCU  內(nèi)部  基于  

          Flash存儲器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

          •  Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開機(jī)后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采
          • 關(guān)鍵字: Flash  F040  040  29F    

          一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方法

          基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

          • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
          • 關(guān)鍵字: 存儲  管理  TMS320F28x  實現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

          并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用

          • 并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
          • 關(guān)鍵字: 開發(fā)  應(yīng)用  SOPC  Flash  NOR  并行  
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          nor flash介紹

          NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]

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