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閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…
- ? 如果憑老東家的實(shí)力，新公司應(yīng)該讓人感覺(jué)很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題，其一是在專注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲(chǔ)器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲(chǔ)器類(lèi)型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位
- 關(guān)鍵字： 閃存 恒億 RAM NOR NAND
恒憶?（NUMONYX）強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)
- 2008年4月1日，中國(guó) – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專長(zhǎng)，在成立之初就成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠商，專注于存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
透視 FPGA 的安全性
- 今天的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設(shè)計(jì)工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應(yīng)用中，尤其是消費(fèi)電子和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。據(jù)Gartner Dataquest市場(chǎng)研究公司指出，F(xiàn)PGA器件在汽車(chē)應(yīng)用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。 這個(gè)增長(zhǎng)在很大程度上是來(lái)自于FPGA本身的特點(diǎn)。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導(dǎo)航裝置和DVD播放機(jī)之類(lèi)設(shè)備的產(chǎn)品壽命相對(duì)較短，因此縮短其開(kāi)發(fā)周期變得非常重要?？删幊踢壿嫳憧蔀樵O(shè)計(jì)人員提供所需的靈活性
- 關(guān)鍵字： FPGA 汽車(chē) Flash
HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU
- 03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過(guò)ISP (In-System-Programming) 接口直接對(duì)已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內(nèi)存的燒錄，且燒錄次數(shù)可達(dá)十萬(wàn)次，此項(xiàng)特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù)，不需受限于燒錄次數(shù)；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級(jí)，提供更高的附加
- 關(guān)鍵字： Flash MCU
ZigBee技術(shù) 無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn) MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于手
- 關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測(cè)試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢(shì)迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對(duì)YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測(cè)試。在給出測(cè)試結(jié)果的同時(shí)，著重研究嵌入式軟件測(cè)試方案和方法;對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測(cè)試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗 軟件測(cè)試 YAFFS
Flash 單片機(jī)自編程技術(shù)的探討
- ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲(chǔ)器模塊是一個(gè)可獨(dú)立操作的物理存儲(chǔ)器單元。全部模塊安排在同一個(gè)線性地址空間中，一個(gè)
- 關(guān)鍵字： Flash 單片機(jī) 自編程
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實(shí)現(xiàn)
- l 引言 在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后，還有一項(xiàng)重要的工作要做：怎樣實(shí)現(xiàn)程序代碼的脫機(jī)加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實(shí)際應(yīng)用中，多采用外接Flash來(lái)加載程序代碼。此種方法簡(jiǎn)單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開(kāi)發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨(dú)立運(yùn)行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲(chǔ)體，掉電后程序及數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。這就需要1個(gè)能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)體。Flash
- 關(guān)鍵字： TMS320C64x Flash
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴(kuò)大
- 快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團(tuán)混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì)，雖然大家對(duì)于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。 TRI觀點(diǎn)： 2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
2008：巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲(chǔ)器平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)自去年年初以來(lái)經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng)下新低，價(jià)格壓力充斥著整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對(duì)于NAND閃存等存儲(chǔ)器的需求正在升溫。呈井噴之勢(shì)的預(yù)測(cè)數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)即將出現(xiàn)。某些預(yù)測(cè)顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長(zhǎng)至2011年的33.5萬(wàn)億兆字節(jié)。 大舉擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存 低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(zhǎng)，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車(chē)窗防夾系統(tǒng)
- 汽車(chē)上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車(chē)窗或車(chē)門(mén)設(shè)備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險(xiǎn)。它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達(dá)所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡(jiǎn)化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達(dá)?；谒俣群团ぞ貙?dǎo)數(shù)的檢測(cè)算法已通過(guò)健壯性和容錯(cuò)性的驗(yàn)證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過(guò)變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實(shí)現(xiàn)的詳細(xì)描述。 現(xiàn)代
- 關(guān)鍵字： AVR Flash 微控制器 汽車(chē)電子控制裝置
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域 借以擴(kuò)大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對(duì)NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)表研究報(bào)告指出，2008年起，除了由原手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲(chǔ)存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(zhǎng)至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī)，到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
nor flash介紹
NOR Flash存儲(chǔ)器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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