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基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設(shè)計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
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基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設(shè)計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲中的應(yīng)用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
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年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作，加上市場預(yù)期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流，導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
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奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務(wù)
- 奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時間表，擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復(fù)運行(shuttle run)。該服務(wù)將來自不同用戶的若干設(shè)計結(jié)合在一個晶圓上，有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務(wù) 奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
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07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
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NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
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單片機的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計
- 前言DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引 言 大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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TMS320C6713的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計
- 前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
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51內(nèi)核8位單片機MAX7651的開發(fā)環(huán)境
- 摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應(yīng)用系統(tǒng)時所面臨的問題，并推薦相應(yīng)的解決方案。 關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 在全球8位單片機領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導(dǎo)者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
- 關(guān)鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器
基于NOR FLASH存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計
- 本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來討論嵌入式手持移動終端中文件系統(tǒng)的實現(xiàn)。
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nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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