nor flash 文章進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)

NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺(tái)模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦三星陣營(yíng)臺(tái)廠壓力倍增

相較于DRAM價(jià)格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對(duì)于拉抬NAND型閃存( Flash)市場(chǎng)不遺余力，然最令客戶頭痛的問(wèn)題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問(wèn)題，釋出給臺(tái)廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營(yíng)的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場(chǎng)低價(jià)策略越來(lái)越積極，這讓與三星電子站在同一陣營(yíng)的臺(tái)廠壓力倍增。近期三星電子不斷釋出N
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CSR公司推出BlueVOX Flash解決方案

全球領(lǐng)先的藍(lán)牙連接及無(wú)線技術(shù)提供商CSR公司（倫敦證券交易所：CSR.L）日前宣布推出BlueVOX Flash解決方案，該解決方案擁有先進(jìn)的軟件功能，適用于高靈活性的低成本耳機(jī)。這款基于BlueCore4-Audio Flash芯片的新型解決方案將高性能、低功耗的藍(lán)牙無(wú)線電與6Mbits片上可編程閃存及全面的軟件開(kāi)發(fā)工具包（SDK）結(jié)合在一起，從而完善了軟件的靈活性。藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，能否迅速響應(yīng)客戶需求將是決定成敗的關(guān)鍵。CSR公司的BlueVOX Flash包
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如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中

如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中下面是ICCAVR中對(duì)字符串和常數(shù)表格分配可能出現(xiàn)的五種情況: const int table[]={1,2,3};//table表格只分配進(jìn)程序存儲(chǔ)器中 const char string[]="iccavr";//字符串?dāng)?shù)組只分配進(jìn)程序存儲(chǔ)器中const char *prt1 //指針prt1位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間指向程序存儲(chǔ)器空間的字符型數(shù)據(jù) char *const prt2 //指針prt2位于程序存儲(chǔ)器空間指向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間的字符型數(shù)據(jù) const ch
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ST推出新的汽車(chē)級(jí)32-Mbit NOR閃存

ST推出一個(gè)新的符合汽車(chē)級(jí)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車(chē)儀表板系統(tǒng)、汽車(chē)多媒體和其它的需要快速訪問(wèn)大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門(mén)設(shè)計(jì)。　　ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車(chē)用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。　　采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V到3
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ST推出新的汽車(chē)級(jí)32-Mbit NOR閃存

　　ST推出一個(gè)新的符合汽車(chē)級(jí)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車(chē)儀表板系統(tǒng)、汽車(chē)多媒體和其它的需要快速訪問(wèn)大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門(mén)設(shè)計(jì)。　　ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車(chē)用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。　　采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V
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TMS320F28xx DSP中內(nèi)部Flash的應(yīng)用研究

文中列舉的Flash的這幾種用法，在CCS中編程下載到TMS320F28xx DSP開(kāi)發(fā)板上，并通過(guò)運(yùn)行程序驗(yàn)證了其正確性。
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愛(ài)特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛(ài)特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲(chǔ)容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛(ài)特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛(ài)特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲(chǔ)器工業(yè)控制

JTAG口及其對(duì)F1aSh的在線編程

本文介紹一種通過(guò)JTAG對(duì)Flash進(jìn)行的在線編程方法。
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適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來(lái)越多地在控制類、消費(fèi)類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號(hào)處理與人機(jī)交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與管理是不容回避的問(wèn)題。FLASH存儲(chǔ)器因制造成本低廉、存儲(chǔ)容量大、數(shù)據(jù)非易失、無(wú)機(jī)械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲(chǔ)器件。然而Flash存儲(chǔ)器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會(huì)出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲(chǔ)器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理增
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Flash 編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)

1 引言閃速存儲(chǔ)器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲(chǔ)器（ROM）使用。現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題。Flash由于容量大、存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號(hào)處理系統(tǒng)時(shí)，需要一塊大容量的Flash來(lái)存儲(chǔ)坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
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外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計(jì)

本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗(yàn)證，并且整個(gè)過(guò)程操作起來(lái)非常方便快捷。
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言 FLASH（閃速存儲(chǔ)器）作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
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分頁(yè)燒寫(xiě)Flash的多頁(yè)程序并行自舉方法

以TMS320VC5410為例，介紹對(duì)Am29LV200B Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序分頁(yè)燒寫(xiě)以及上電后多頁(yè)用戶程序并行自舉的方法。
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英特爾擴(kuò)展嵌入式產(chǎn)品進(jìn)入串行閃存市場(chǎng)

中國(guó)北京, 2006年6月7日–英特爾（中國(guó)）有限公司今天宣布, 將擴(kuò)展其NOR閃存產(chǎn)品線，以滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)十億美元嵌入式市場(chǎng)的需要。英特爾公司計(jì)劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲(chǔ)架構(gòu)。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產(chǎn)品進(jìn)入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。英特爾的上述行動(dòng)體現(xiàn)了其對(duì)NOR嵌入式閃存市場(chǎng)的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應(yīng)用到各種消費(fèi)電子
關(guān)鍵字： NOR 消費(fèi)電子英特爾消費(fèi)電子

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nor flash介紹

NOR Flash存儲(chǔ)器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]