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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎
- 近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎?！爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥?nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名，基本涵蓋國內(nèi)最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)
- 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營運(yùn)中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
- 關(guān)鍵字： ?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
數(shù)據(jù)存儲很重要，這塊把錢省不掉？
- 多日后，當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時候，我才知道，原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)存儲 EEPROM Flash
美光行使認(rèn)購期權(quán)，收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份
- 美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向?！ 笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?！蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊伍，以推動 3D Xpo
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC
STM32的flash知識詳解
- 說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)?！ LASH分類 根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序，我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader)，當(dāng)使用ISP方
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nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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