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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nor flash

          大容量NOR Flash與8位單片機的接口設計

          • Flash存儲器又稱閃速存儲器,是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點,既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種,與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢:可靠性高、隨機讀取速度快,可以單字節(jié)或單字編程,允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
          • 關鍵字: NOR  Flash  接口  單片機  

          F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應用

          • 以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用;利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內的特 性,結合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。
          • 關鍵字: DSP  Flash  TI  

          Flash數(shù)據(jù)丟失,說好的數(shù)據(jù)去哪了?

          • 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
          • 關鍵字: 電源電壓  Flash  MCU  

          麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

          •   據(jù)外媒報道,存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲,有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導,Daniel Kim發(fā)布報告說:「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。   他指出,建構數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
          • 關鍵字: DRAM  Flash  

          盤點+分析:Flash原廠2016年財報

          • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換,除了研發(fā)成本增加,切換過程中也很容易出現(xiàn)產能損失,同時還需要更新舊設備,增加新設備,以及擴大生產空間,從而導致Flash原廠NAND Flash產出減少,以及投資成本增加。
          • 關鍵字: Flash  三星  

          大陸韓國擴產競賽 Flash后年產能恐過剩

          •   儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起,南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲產能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠,也預定本月底正式動土,都為2018年供給過于求再現(xiàn),埋下隱憂。   目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面,但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠,在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元,擴充產能,希望市占率能趕上三星,但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。   稍早三星和美光也都
          • 關鍵字: Flash  晶圓  

          為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

          •   SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設,2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。     SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年,所以提前做好準備。   SK海力士曾在20
          • 關鍵字: NAND Flash  SK海力士  

          Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

          •   芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?! ?nbsp;     1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫  例如,在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中,如果用戶誤調用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數(shù),這自然會導致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況,可以在程序中設置多個允許操作的變量,當執(zhí)行寫入或擦除操作時,對
          • 關鍵字: Flash  芯片  

          NAND Flash供不應求,第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業(yè)利益率也較上季大幅進步。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
          • 關鍵字: NAND Flash  英特爾  

          Flash缺貨,存儲器成為三星的搖錢樹

          •   NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社)   根據(jù)DIGITIMES的報導,NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產業(yè),2017年將增加至13兆韓元,其中4兆韓元用于DRAM,F(xiàn)lash則約9兆韓元,遠不如原
          • 關鍵字: Flash  存儲器  

          中國存儲三大勢力成形 各自進擊

          •   早前報導,中國存儲三大勢力成形,目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能,就差合肥團隊還未有相關消息,現(xiàn)在相關招募信息與環(huán)評結果曝光,也透露更多發(fā)展信息。   中國發(fā)展存儲成三路進擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動,現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告,也可一窺其在合肥的布局。   合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
          • 關鍵字: 長江存儲  Flash   

          基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

          • 摘要:德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件,是市場上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
          • 關鍵字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導  SRIO  網絡  

          FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

          • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。
          • 關鍵字: Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    

          大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應用

          • 隨著嵌入式系統(tǒng)產品的發(fā)展,對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
          • 關鍵字: Flash  NAND  02A  1FT    

          如何將“壞塊”進行有效利用

          •   被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
          • 關鍵字: Nand Flash  寄存器  
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          nor flash介紹

          NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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