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高通下一代智能PC計(jì)算平臺(tái)將采用全新命名體系——驍龍X系列

高通技術(shù)公司自推出驍龍8cx計(jì)算平臺(tái)以來(lái)，持續(xù)驅(qū)動(dòng)消費(fèi)級(jí)PC和商用PC的體驗(yàn)，不斷突破創(chuàng)新邊界。我們推出了全球首款商用5G PC平臺(tái)，引領(lǐng)計(jì)算平臺(tái)連接方式的發(fā)展；我們還針對(duì)筆記本電腦推出了全球首個(gè)面向AI處理的專(zhuān)用NPU；同時(shí)也在每瓦特性能方面保持領(lǐng)先，讓終端產(chǎn)品僅需一次充電，即可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)多天的電池續(xù)航。今天，我們正式推出專(zhuān)為變革下一代PC體驗(yàn)的平臺(tái)而打造的全新命名體系——驍龍X系列。2024年將成為PC行業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，驍龍X計(jì)算平臺(tái)將帶來(lái)更高水平的性能、AI、連接和電池續(xù)航。驍龍X系列平臺(tái)基于高通在CPU
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?CPU 開(kāi)始淪為配角

最近，英特爾財(cái)務(wù)長(zhǎng) DavidZinsner 表示，雖然數(shù)據(jù)中心芯片需求在過(guò)去兩季有所好轉(zhuǎn)，但庫(kù)存消化將比電腦芯片更長(zhǎng)，可能還要過(guò)幾季才能達(dá)到較佳的狀態(tài)。在這個(gè) AI 被炒的火熱的時(shí)代，當(dāng)英特爾說(shuō)數(shù)據(jù)中心芯片的庫(kù)存正在積壓，出乎很多人的意料。前所未有的壓力PC 產(chǎn)業(yè)正同時(shí)經(jīng)歷「加速運(yùn)算」和「生成式 AI」兩大轉(zhuǎn)變。據(jù) Gartner 最新報(bào)告，2023 年全球用于 AI 的硬件銷(xiāo)售收入預(yù)計(jì)將達(dá)到 534 億美元，按年增長(zhǎng) 20.9%，這一銷(xiāo)售還將在 2024 年進(jìn)一步增長(zhǎng)到 671 億美元，在 2027
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競(jìng)賽已拉開(kāi)帷幕

IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
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為什么蘋(píng)果M2能在PC領(lǐng)域獨(dú)樹(shù)一幟？

英特爾、AMD 和蘋(píng)果都擁有強(qiáng)大的 CPU 和 GPU 架構(gòu)，蘋(píng)果的 M2 卻在 PC 領(lǐng)域獨(dú)樹(shù)一幟。
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1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來(lái)到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來(lái)日本廠也有望導(dǎo)入EUV
關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲(chǔ)

面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略

面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略據(jù)韓國(guó)新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國(guó)家安全護(hù)欄，韓國(guó)半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們?cè)谥袊?guó)的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來(lái)針對(duì)國(guó)內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對(duì)三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來(lái)10年內(nèi)避免在中國(guó)進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
關(guān)鍵字： CHIPS法案韓國(guó)半導(dǎo)體 DRAM NAND

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(zhǎng)周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費(fèi)類(lèi)DRAM無(wú)法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？

消費(fèi)類(lèi)DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類(lèi)DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類(lèi)DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。固定BOM的重要性消費(fèi)類(lèi) DRAM 模塊沒(méi)有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會(huì)發(fā)生變化，而且經(jīng)常會(huì)在用戶未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶可能會(huì)在一月份訂購(gòu)兩個(gè) DIMM 用于測(cè)試，在三月份再訂購(gòu)五百個(gè)用于生產(chǎn)，但無(wú)法保證一月份訂購(gòu)的模塊與三月份訂購(gòu)的模塊包含相同的材料。即使是物料
關(guān)鍵字： innodisk DRAM

2023Q2 印度 PC 戰(zhàn)報(bào)：惠普、聯(lián)想等出貨量不同程度下降，蘋(píng)果唯一逆勢(shì)增長(zhǎng) 89.5%

IT之家 9 月 21 日消息，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) Canalys 公布的最新報(bào)告，2023 年第 2 季度印度 PC（臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦和平板電腦）出貨量為 390 萬(wàn)臺(tái)，同比下降 15%，環(huán)比增長(zhǎng) 2%，呈現(xiàn)復(fù)蘇跡象。其中筆記本電腦出貨量 230 萬(wàn)臺(tái)，同比下降 12%；臺(tái)式機(jī)出貨量 76.4 萬(wàn)臺(tái)，同比下降 17%；平板電腦出貨量 87.3 萬(wàn)臺(tái)，同比下降 22%。IT之家援引 Canalys 機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，今年 PC 出貨量將下降 9%，不過(guò)在 2024 年和 2025 年將會(huì)出現(xiàn)反彈，預(yù)估這
關(guān)鍵字：印度 PC 市場(chǎng)分析

美光訂價(jià)能力升營(yíng)運(yùn)露曙光

內(nèi)存大廠美光即將于27日盤(pán)后公布最新財(cái)報(bào)，鑒于美光對(duì)DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過(guò)。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁，致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長(zhǎng)Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測(cè)價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營(yíng)運(yùn)有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng)，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評(píng)等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評(píng)等，目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
關(guān)鍵字：美光 DDR5 DRAM

存儲(chǔ)廠商持續(xù)減產(chǎn)，市場(chǎng)何時(shí)迎來(lái)供需平衡？

受高通貨膨脹、消費(fèi)電子需求疲軟等因素影響，存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過(guò)，由于市場(chǎng)需求持續(xù)衰弱，2023年存儲(chǔ)市況仍未復(fù)蘇，價(jià)格不斷下跌，廠商業(yè)績(jī)承壓。這一背景下，部分存儲(chǔ)廠商期望通過(guò)繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價(jià)格，推動(dòng)市場(chǎng)供需平衡。近日，臺(tái)灣地區(qū)《工商時(shí)報(bào)》等媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科將跟進(jìn)大廠減產(chǎn)策略，調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出，根據(jù)客戶需求和市場(chǎng)變化動(dòng)態(tài)調(diào)整，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)疲軟，預(yù)計(jì)產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調(diào)降20％以內(nèi)。此前，全球市場(chǎng)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)廠商 DRAM TrendForce

3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)？

3D DRAM 的使用在未來(lái)或許是可能的。
關(guān)鍵字： DRAM

DRAM的變數(shù)

一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來(lái)了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 20.4%，終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢(shì)。存儲(chǔ)作為行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，止跌是大家喜聞樂(lè)見(jiàn)的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報(bào)告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應(yīng)商庫(kù)存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
關(guān)鍵字： DRAM

美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年上半年在臺(tái)量產(chǎn)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺(tái)灣《中央通訊社》報(bào)道，臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)盧東暉表示，美光有多達(dá) 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺(tái)灣生產(chǎn)，其中臺(tái)日?qǐng)F(tuán)隊(duì)一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺(tái)中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，日本廠未來(lái)也會(huì)導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強(qiáng)調(diào)，臺(tái)灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達(dá) 65% 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
關(guān)鍵字：三星 12納米 DDR5 DRAM