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高通下一代智能PC計算平臺將采用全新命名體系——驍龍X系列
- 高通技術(shù)公司自推出驍龍8cx計算平臺以來，持續(xù)驅(qū)動消費級PC和商用PC的體驗，不斷突破創(chuàng)新邊界。我們推出了全球首款商用5G PC平臺，引領計算平臺連接方式的發(fā)展；我們還針對筆記本電腦推出了全球首個面向AI處理的專用NPU；同時也在每瓦特性能方面保持領先，讓終端產(chǎn)品僅需一次充電，即可實現(xiàn)長達多天的電池續(xù)航。今天，我們正式推出專為變革下一代PC體驗的平臺而打造的全新命名體系——驍龍X系列。2024年將成為PC行業(yè)的轉(zhuǎn)折點，驍龍X計算平臺將帶來更高水平的性能、AI、連接和電池續(xù)航。驍龍X系列平臺基于高通在CPU
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?CPU 開始淪為配角
- 最近，英特爾財務長 DavidZinsner 表示，雖然數(shù)據(jù)中心芯片需求在過去兩季有所好轉(zhuǎn)，但庫存消化將比電腦芯片更長，可能還要過幾季才能達到較佳的狀態(tài)。在這個 AI 被炒的火熱的時代，當英特爾說數(shù)據(jù)中心芯片的庫存正在積壓，出乎很多人的意料。前所未有的壓力PC 產(chǎn)業(yè)正同時經(jīng)歷「加速運算」和「生成式 AI」兩大轉(zhuǎn)變。據(jù) Gartner 最新報告，2023 年全球用于 AI 的硬件銷售收入預計將達到 534 億美元，按年增長 20.9%，這一銷售還將在 2024 年進一步增長到 671 億美元，在 2027
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進技術(shù)競賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導入EUV
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面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費類DRAM無法滿足工業(yè)應用需求？
- 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業(yè)應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發(fā)生變化，而且經(jīng)常會在用戶未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產(chǎn)，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
- 關(guān)鍵字： innodisk DRAM
2023Q2 印度 PC 戰(zhàn)報：惠普、聯(lián)想等出貨量不同程度下降，蘋果唯一逆勢增長 89.5%
- IT之家 9 月 21 日消息，根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu) Canalys 公布的最新報告，2023 年第 2 季度印度 PC（臺式機、筆記本電腦和平板電腦）出貨量為 390 萬臺，同比下降 15%，環(huán)比增長 2%，呈現(xiàn)復蘇跡象。其中筆記本電腦出貨量 230 萬臺，同比下降 12%；臺式機出貨量 76.4 萬臺，同比下降 17%；平板電腦出貨量 87.3 萬臺，同比下降 22%。IT之家援引 Canalys 機構(gòu)預測，今年 PC 出貨量將下降 9%，不過在 2024 年和 2025 年將會出現(xiàn)反彈，預估這
- 關(guān)鍵字： 印度 PC 市場分析
美光訂價能力升 營運露曙光
- 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場需求轉(zhuǎn)強，AI服務器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務長Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續(xù)保持自制力、預測價格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價從75美元調(diào)高到
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5 DRAM
存儲廠商持續(xù)減產(chǎn)，市場何時迎來供需平衡？
- 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過，由于市場需求持續(xù)衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價格不斷下跌，廠商業(yè)績承壓。這一背景下，部分存儲廠商期望通過繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價格，推動市場供需平衡。近日，臺灣地區(qū)《工商時報》等媒體報道，DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產(chǎn)策略，調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出，根據(jù)客戶需求和市場變化動態(tài)調(diào)整，以應對市場疲軟，預計產(chǎn)能將動態(tài)調(diào)降20％以內(nèi)。此前，全球市場
- 關(guān)鍵字： 存儲廠商 DRAM TrendForce
3D DRAM 設計能否實現(xiàn)？
- 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM的變數(shù)
- 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營收約 114.3 億美元，環(huán)比增長 20.4%，終結(jié)連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風向標，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時傳遞給整個半導體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
- 關(guān)鍵字： DRAM
美光 1-gamma 制程內(nèi)存預計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)
- IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調(diào)，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
- 關(guān)鍵字： 三星 12納米 DDR5 DRAM
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